理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。

　　常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等。芯片级一般用 HBM 做测试，而电子产品则用 IEC 6 1000-4-2 的放电模型做测试。为对 ESD 的测试进行统一规范，在工业标准方面，欧共体的 IEC 61000-4-2 已建立起严格的瞬变冲击抑制标准；电子产品必须符合这一标准之后方能销往欧共体的各个成员国。

　　因此，大多数生产厂家都把 IEC 61000-4-2 看作是 ESD 测试的事实标准。我国的国家标准（GB/T 17626.2-1998）等同于 I EC 6 1000-4-2。大多是实验室用的静电发生器就是按 IEC 6 1000-4-2 的标准，分为接触放电和空气放电。静电发生器的模型如图 1。放电头按接触放电和空气放电分尖头和圆头两种。

　　IEC 61000-4-2 的 静电放电的波形如图 2，可以看到静电放电主要电流是一个上升沿在 1nS 左右的一个上升沿，要消除这个上升沿要求 ESD 保护器件响应时间要小于这个时间。静电放电的能量主要集中在几十 MHz 到 500MHz，很多时候我们能从频谱上考虑，如滤波器滤除相应频带的能量来实现静电防护。其放电频谱如下，这个图是我自己画的，只能定性的看，不能定量。

　　IEC 61000-4-2 规定了几个试验等级，目前手机 CTA 测试执行得是 3 级，即接触放电 6KV，空气放电 8KV。很多手机厂家内部执行更高的静电防护等级。

　　当集成电路（ IC ）经受静电放电（ ESD）时，放电回路的电阻通常都很小，无法限制放电电流。例如将带静电的电缆插到电路接口上时，放电回路的电阻几乎为零，造成高达数十安培的瞬间放电尖峰电流，流入相应的 IC 管脚。瞬间大电流会严重损伤 IC ，局部发热的热量甚至会融化硅片管芯。ESD 对 IC 的损伤还包括内部金属连接被烧断，钝化层受到破坏，晶体管单元被烧坏。

　　ESD 还会引起 IC 的死锁（ LATCHUP）。这种效应和 CMOS 器件内部的类似可控硅的结构单元被激活有关。高电压可激活这些结构，形成大电流信道，一般是从 VCC 到地。串行接口器件的死锁电流可高达 1A 。死锁电流会一直保持，直到器件被断电。不过到那时， IC 通常早已因过热而烧毁了。

　　电路级 ESD 防护方法

　　1、并联放电器件

　　常用的放电器件有 TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图

　　1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） ：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD 敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。

　　1.2、瞬变电压消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor)：TVS 是一种固态二极管，专门用于防止 ESD 瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比， TVS 二极管 P/N 结面积更大，这一结构上的改进使 TVS 具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。

　　TVS 二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积，可以处理闪电和 ESD 所引起的高瞬态电流。TVS 也会有结电容，通常 0.3 个 pF 到几十个 pF。TVS 有单极性的和双极性的，使用时要注意。手机上用的 TVS 大约 0.01$，低容值的约 2-3 分$。

　　1.3、多层金属氧化物结构器件 (MLV)：大陆一般称为压敏电阻。MLV 也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压 - 电流 ( 阻抗表现 ) 关系，截止电压可达初中止电压的 2 ～ 3 倍。这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的静电或浪涌保护，如电源回路，按键输入端等。手机用压敏电阻约 0.0015$,大约是 TVS 价格的 1/6，但是防护效果没有 TVS 好，且压敏电阻有寿命老化。

　　2、串联阻抗

　　一般可以通过串联电阻或者磁珠来限制 ESD 放电电流，达到防静电的目的。如图。如手机的高输入阻抗的端口可以串 1K 欧电阻来防护，如 ADC，输入的 GPIO，按键等。不要担心 0402 的电阻会被打坏，实践证明是打不坏的。这里不详细分析。用电阻做 ESD 防护几乎不增加成本。如果用磁珠，磁珠的价格大 约 0.002$,和压敏电阻差不多。

　　3、增加滤波网络

　　前面提到了静电的能量频谱，如果用滤波器滤掉主要的能量也能达到静电防护的目的。

　　对于低频信号，如 GPIO 输入，ADC，音频输入可以用 1k+1000PF 的电容来做静电防护，成本可以忽略，性能不比压敏电阻差，如果用 1K+50PF 的压敏电阻（下面讲的复合防护措施），效果更好，经验证明这样防护效果有时超过 TVS。

　　对于射频天线的微波信号，如果用 TVS 管，压敏等容性器件来做静电防护，射频信号会被衰减，因此要求 TVS 的电容很低，这样增加 ESD 措施的成本。对于微波信号可以对地并联一个几十 nH 的电感来为静电提供一个放电通道，对微波信号几乎没有影响，对于 900MHZ 和 1800MHz 的手机经常用 22nH 的电感。这样能把静电主要能量频谱上的能量吸收掉很多。

　　4、复合防护

　　有一种器件叫 EMI filter，他有很好的 ESD 防护效果，如图。EMI filter 也有基于 TVS 管的和基于压敏电阻的，前者效果好，但很贵，后者廉价，一般 4 路基于压敏电阻的 EMI 价格在 0.02$。

　　实际应用中可以用下面的一个电阻+一个压敏电阻的方式。他既有低通滤波器的功能，又有压敏电阻的功能，还有电阻串联限流的功能。是性价比的防护方式，对于高阻信号可以采用 1K 电阻+50PF 压敏；对于耳机等音频输出信号可以采用 100 欧电阻+压敏电阻；对于 TP 信号串联电阻不能太大否则影响 TP 的线性，可以采用 10 欧电阻。虽然电阻小了，低通滤波器效果已经没有了，但限流作用还是很重要的。

　　5、增加吸收回路

　　可以在敏感信号附件增加地的漏铜，来吸收静电。道理和避雷针原理一样。在信号线上放置放电点（火花隙）在山寨手机设计中也经常应用。