在此电路布置中，增强型 N 沟道 MOSFET 用于将简单的灯“打开”和“关闭”（也可以是 LED）。 栅极输入电压V GS被带到适当的正电压电平以打开设备，因此灯负载“打开”...
时间：2023-06-20 阅读：1133 关键词：MOSFET
AND 函数的开关表示 逻辑与功能 在这里，两个开关A和B连接在一起形成串联电路。因此，在上面的电路中，开关A 和开关B都必须闭合（逻辑“1”）才能点亮灯。换句话说，...
时间：2023-06-20 阅读：1187 关键词：AND 函数
上面晶体阻抗的斜率表明，随着频率在其端子上的增加。在特定频率下，串联电容器Cs和电感器Ls之间的相互作用会产生串联谐振电路，将晶体阻抗降至最低并等于Rs。该频率点称为...
既然我们已经了解了电容器充电和放电电流的对立不仅取决于其电容值，还取决于电源频率，让我们看看这如何影响两个串联连接的电容器，形成电容分压器电路。 电容式分压器...
如果 f OSC太低，开关系统会缺电，这表现为提供负载电流的能力降低——换句话说，表现为更高的输出电阻。事实上，理想化开关电容电路的输出电阻与振荡器频率（以及 C1 的值...
时间：2023-06-19 阅读：859 关键词：开关电容
除了令人难以置信的简单性和可编程分辨率外，香农解码器 DAC (SD) 的主要属性是速度，只需 nT 秒即可将串行 n 位数字流转换为模拟信号，其中 T = 1 位时间。 当然，“nT...
在模数转换器 (ADC) 将其数字化以供微控制器运行算法以补偿其包含的任何非线性之前，AFE 会放大和调节低振幅 RTD 信号。这通过通信接口将数字输出发送到过程控制器。 AFE ...
氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是下一代射频功率晶体管技术的一部分，它们是新型高频器件，它们是迁移率更高，允许以最小的功耗和更低的传导损耗传输高电流率。 ...
分类：元器件应用 时间：2023-06-16 阅读：646 关键词： GaN FET 器件
并联电阻器在电路中的例子 例子一 这种倒数计算方法可用于计算在单个并联网络中连接在一起的任意数量的单个电阻。 然而，如果只有两个并联的独立电阻器，那么我们...
耗计算式计算： × RDS(on) × K × 截止损耗计算： × IDSS ×（ 1-Don ） 会依 VDS(off) 变化而变化，如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。 开启过程损耗计算...
监控系统的供电模式是最多问题之一，其实在选择监控供电也是非常重要，我们一起来看看 一、独立供电模式 二、集中供电模式 三、POE供电模式 一、独立供电模式 ...
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。 那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都...
当 p 型半导体熔合到 n 型半导体时形成 PN 结二极管，从而在二极管结上产生势垒电压。 PN 结二极管由 p 区和 n 区组成，由存储电荷的耗尽区隔开，如果我们将 N 型和 P ...
分类：元器件应用 时间：2023-06-15 阅读：1360 关键词： PN结二极管
鉴于温度和湿度对建筑物和电子系统的结构完整性的影响，获得准确和可靠的对这些参数的测量能力是广泛的消费、工业和医疗应用的设计基础。人们十分关注湿度和温度对健康的影响，研究表明，这些参数的变化会产生从体感...
如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机，行驶里程较为有限。为了延长行驶里程，电动汽车制造商增加了车辆电池的能量容量。然而，更大的电池意味着更长的充电时间。要能快速高效地为电动车...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2023-06-14 阅读：619 关键词：SiC MOSFET 模块
图1所示的音频“panpot”电路根据电位计设置，连续改变左右立体声通道之间单声道音频信号的位置。低成本和低失真是音频电路的重要考虑因素。AD82731双通道低失真差动放大器使用内部增益设置电阻，以确保两个通道之间...
