开关电源MOS管的工作损耗计算
出处:维库电子市场网 发布于:2023-06-15 15:35:51
× RDS(on) × K ×
截止损耗计算:
× IDSS ×( 1-Don )
会依 VDS(off) 变化而变化,如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。
开启过程损耗计算:
开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS(off_end) 、开启完成后的 IDS(on_beginning) 即图示之 Ip1 ,以及 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 重叠时间 Tx 。然后再通过如下公式计算:
×∫ Tx VDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) ×
关断过程损耗
首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压 VDS(off_beginning) 、关断时刻前的负载电流 IDS(on_end) 即图示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 与 IDS(on_off)(t) 重叠时间 Tx 。
然后再通过 如下公式计算:
×∫ Tx VDS(on_off) (t) × IDS(on_off)(t) ×
驱动损耗的计算:
× Qg ×
电容的泄放损耗计算:
首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS ,再通过如下公式进行计算:
× VDS(off_end)2 × Coss ×
体内寄生二极管正向导通损耗计算:
利用体内寄生二极管进行载流的应用中(例如同步整流),需要对此部分之损耗进行计算。公式如下:
× VDF × tx ×
体内寄生二极管反向恢复损耗计算:
公式如下:
Pd_recover=VDR × Qrr × fs
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