CBC915是 EnerChip EP能量处理器,采用先进的峰值功率跟踪(MPPT)算法,适用于光,振动,热和RF等能量收集传感器(传感器是一种物理装置或生物器官,能够探测、感受外界的...
分类:基础电路 时间:2011-08-12 阅读:1879
引脚号 符号 引脚描述 1 SW 开关输出 2 GND 地 3 FB 反馈电压 4 CE 芯片开关 5 Vin 电源输入 来源:LIDY
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1882
bq25046 是 5W(1.1A/5V)无接触充电应用的电源集成电路,适用于各有线和无线电源应用,具有5V稳压输出和集成的3.3V/15mA LDO,输入电压额定值30V,15V过压保护阈值, 能给M...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:2537
LT3958 具有软起动和频率折返功能,用于在启动期间限制电感器电流。 LT3958是一款宽输入电压范围、电流模式、DC/DC 转换器,该器件能够产生正输出电压或负输出电压。它...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1914
M75012特点: ①单片CMOS集成电路。 ②可通过I/O脚与最多50个报警单元互连以实现共同报警。 ③上电复位后电路即进入待机状态。 ④电源电压范围宽:6V-12V。 ...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1833
TDA4866的测试电路如上图所示。其工作原理是当正电源电压VP、回扫电源电压VFB加上时电路开始工作,输入信号由1脚和2脚输入到内部差分输入的反相和同相输入端,垂直输出级将...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1890
TPS2480/81带有正电压智能保护器件的热插拔控制器和I2C电流监视器。TPS2480/81设计用于将应用内的浪涌降至非常低的水平,保护负载和FET免遭过流或短路事件的损害。它们控制...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1672
LTC6909是一款易于使用的精准振荡器,它能够提供1、2、3、4、5、6、7或8相同步输出。LTC6909还提供了扩频调制(SSFM)功能,可启用该电路来改善电磁兼容性(EMC)性能。 ...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1688
本新型降压转换器的另一个重要功能是内置跟踪功能。TPS54620可实现几种的时序控制方案:顺序时序控制、比例时序控制和同步时序控制。Virtex-6 器件需要Vccint,然后Vccaux,...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:3513
PS21255模块内含驱动电路,内部驱动电路优化了内部IGBT的驱动条件,驱动电路离IGBT较近,可以大大减少信号传输阻抗,且受外界干扰小,因此不需要加反向偏压,同时,PS21255...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:2179
LM2576系列的稳压器是单片集成电路,能提供降压开关稳压器的各种功能,能驱动3A的负载,有优异的线性和负载调整能力,并且LM2576稳压器内部含有频率补偿器和一个固定频率正...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:48162
大功率LED驱动芯片SN3350,工作电压高达40V,驱动电流能力高达700mA,可以驱动10颗单灯3W的LED.SN3350总结了业界同类产品的优缺点,扬长避短,是中低电压范围LED驱动的终结者...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:3929
FAN6920MR集成了临界模式PFC和准谐振电流模式PWM电源控制器。对PFC, FAN6920MR采用可控导通时间提供调整的DC输出电压,具有的THD优化,而对于PWM, FAN6920MR提供多种功能来...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:3384
LTC2757 是一款 18 位倍增并行输入、电流输出数模转换器,无需任何调节即可提供完整的 18 位性能,±1LSB INL 和 DNL 值超温。 在所有性能等级中均可保证 18 位单调性。 该...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1756
特点:集成 10ppm/oC 值基准; INL 误差:±4LSB (在 16 位)。 在整个温度范围内保证单调可选择的内部或外部基准;2.7V 至 5.5V 电源范围 .集成基准缓冲器DAC 之间的...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:2409
FAN4810工作于前沿平均电流、电流连续(CCM)升电压输出工作模式,内部的三重安全检测技术可使电路免受由于某个电路元器件的损坏而使电路处于不正常工作状态;栅极输出驱动能力高达1A,因而无须外接功率MOSFET(它用...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:2556
半导体三极管又称"晶体三极管"或"晶体管".在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或N区)叫基区,两边的区域叫发射区和...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:3471
STSR4是指定用于驱动推挽、半桥或全桥式双端输出拓扑结构中SR的控制IC.STSR4含有两个大电流N沟道MOSFET驱动器输出,同时有两个时钟流入(CLOCK1和CLOCK2),分别接收来自隔...
分类:基础电路 时间:2011-08-11 阅读:1974


























