在当今的汽车和工业电子领域，低压 MOSFET (<100 V) 对高功率的需求不断增加。电机驱动等应用现在需要千瓦级的功率输出。再加上当前模块空间的限制，这意味着处理更多功率的需求正在转移到组件上，特别是 MOSFET...
分类：电源技术 时间：2023-08-11 阅读：1087 关键词：高电流 MOSFET
适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案
功率器件的热管理 电力电子市场需要越来越小、更高效、更可靠的设备。满足这些严格要求的关键因素是高功率密度（能够减少解决方案的占地面积和成本）和出色的热管理（能...
分类：电源技术 时间：2023-08-31 阅读：465 关键词：CSP GaN FET
由于半导体行业的最新发展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在不断扩大。肖特基势垒 MOSFET 的源极和漏极由硅化物制成，而不是通常的掺杂硅。S...
DC/DC转换 开关模式电源 (SMPS)由于其高效率、紧凑设计和轻重量而用于隔离式和大多数非隔离式DC/DC 转换。晶体管和二极管的导通转换会在各种 SMPS 电路拓扑中不同程度地...
分类：电源技术 时间：2023-08-08 阅读：996 关键词：DC/DC 转换器
合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，最好与其他...
分类：电源技术 时间：2023-08-08 阅读：1020 关键词： SiC MOSFET
只有降低（降压）输入电压，线性电源才能产生较低的输出电压。为此，BJT 或MOSFET晶体管通常被迫在其线性区工作。 后果有两个： 输出电压和输入电压之间始终存在差异（V DROP ）。 由于晶体管在线性区连续...
从公式 1 中可以看出，我们可以通过调整单个电阻器 R G的值来调整仪表放大器的差分增益。这很重要，因为与电路中的其他电阻器不同， RG的值不需要与任何其他电阻器匹配。 ...
什么是无杂散动态范围 (SFDR)？为什么 SFDR 很重要？
有多种不同的规格可用于表征电路线性度。SFDR 指标是一种常用的规范。该指标定义为所需信号幅度与感兴趣带宽内最大杂散的比率（图 1）。图 1. 显示 SFDR 指标的图表。 对于 ADC，SFDR 展示了 ADC 如何在存在大信...
分类：电源技术 时间：2023-08-04 阅读：1565 关键词：SFDR
通电隔离栅极驱动器：高效 GaN FET 控制，占用空间更小
AHV85110 概述 AHV85110 是一款隔离式栅极驱动器，可驱动电源系统中的 GaN（氮化镓）FET（场效应晶体管）。其主要显着特征之一是将传统上独立的组件（隔离栅极驱动器和...
二极管电流-电压关系 当在二极管的两端施加电压时，阳极侧电压较高，阴极侧电压较低，将流过正向电流（即从阳极到阴极的电流）。如果电压增加，正向电流就会增加，这样...
在当今快节奏、互联的世界中，低功耗无线通信系统发挥着越来越重要的作用。它们使可穿戴设备、物联网传感器和智能家居设备等设备能够高效地传输和接收数据，同时节省能源。...
对提高计算能力和更多集成功能的要求正在推动越来越多的应用从 16 位微控制器转向 32 位微控制器。 对于电池供电的应用来说也是如此，电池供电的应用受益于较低的电源电...
一些电压基准具有专用的降噪端子。这些端子可用于过滤基准的噪声并实现更高的性能。然而，应该注意的是，此类中的每个电压基准可能需要不同的电路来实现噪声过滤。没有一种...
工业控制电路通常从各种不同的电源获取电源，这些电源可能超过流行开关 IC 的 40V 最大额定值。该设计理念提出了一种简单、灵活且廉价的降压开关，可在几安培的情况下将高达 60V 的输入电压转换为 5V。该电路的独特...
降压转换器设计 我们将使用的电路如图 1 的原理图所示。这称为降压或降压转换器。 Buck（降压）转换器仿真原理图 图 1. Buck（降压）转换器仿真原理图 降压或...
基于 JFET 的 DC/DC 转换器采用 300mV 电源供电
您可以利用 JFET 的自偏置特性构建一个 DC/DC 转换器，该转换器由太阳能电池、热电堆和单级燃料电池等电源供电，所有这些电源的电压均低于 600 mV，有时甚至低至 300 mV。...
当系统规格要求低通滤波器具有陡峭的截止频率特性时，工程师可以选择具有尖锐过渡带的“砖墙”滤波器设计。例如，在 FM 立体声广播系统中，基带音频左声道和右声道中的低通...
什么是跨阻放大器？ 我们首先定义什么是跨阻放大器。为了了解上下文，让我们看一个示例电路。 (一) (二) 图1。(a) 基本 IV 转换器或跨阻放大器 (TIA)。(b) 实际实...
