晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开...
在电子行业中，静电放电（简称ESD）对产品的危害是极大的。特别是在干燥的冬天，有时候你的电路突然就工作不正常了，然后找原因突然发现某个元件不知所以的坏掉了。除了注意不要随意用手触摸电路板及电子元件等常规...
首先，电感（线圈）具有以下基本特性，称之为“电感的感性电抗”?①直流基本上直接流过。?②对于交流，起到类似电阻的作用。?③频率越高越难通过。下面是表示电感的频率和阻抗特性的示意图。在理想电感器中，阻抗随...
在单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。PNP与NPN两种三极管使用方法上图中，横向左侧的引脚叫做基极b，有一个箭头的是发射极e，剩下的一个引脚就是集电极 c。首先来说一下NPN型，这种型号的三极管在用于...
1继电器的构造和工作原理电磁继电器是一种常见的继电器，其中4098型超小型继电器使用最为广泛。－24是这种继电器的结构示意图—24 4098型继电器继电器的工作原理是，当继电器线圈通电后，线圈中的铁芯产生强大的电磁...
稳压器在想要从不稳定或可变的电源中获得稳定电源电压的应用至关重要。这类电源包括逐渐放电式的电池或整流后的交流电压等。而对开关稳压器产生的噪声或残留交流纹波较敏感的应用，包括射频收发器、Wi-Fi模块和光学...
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：96
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：65
运算放大器在输入为0V的时候，输出不一定为0V，可能几十uV到几mv，这个叫做运算放大器的直流偏置，如果放大倍数比较大的话，这个直流偏置也会被放大，为了消除直流偏置，在运放的电源端和输入端加一个几M的电阻，或...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：65
一、三极管基本介绍 三极管是一种电流控制器件，可以作为无触点开关，经常被用于开关电路当中，通过输入信号来控制三极管的导通与断开，进而接通和切断电路，三极管具有3个电极：发射极（E）、集电极（C）、基极...
MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种...
第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...
在电容的行业中，不同的电容有不同的用处，各自都有自身的优势，并广泛的运用于机械设备中。不过也有很多人不太了解电容的知识，下面解说下高压陶瓷电容。 高压陶瓷电容 高压陶瓷电容器，即使用在电力系统中的...
一、电容降压原理电容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流...
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器...
WPG - 大联大推出基于ST产品的22KW OBC结合3KW DC/DC汽车充电器方案
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚集团推出与意法半导体（ST）共同开发的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC结合3KW DC/DC直流输出汽车充电器方案。 图示1-大联大友...
分类：元器件应用 时间：2023-05-16 阅读：928 关键词：DC/DC汽车充电器
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率...
所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能...
基于人工智能算法的压力控制系统，通过智能PID调节器实现对水箱主管路压力的动态控制。主控制对象为设备下水箱主管路中的瞬时压力，实验过程以水作为被控介质，压力变送器作变送单元，PID调节器作为调节单元，变频器...
