肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备...
将两个或两个以上电阻依次连接起来，中间无分支的连接方式叫做串联。如图。电阻串联电路具有以下特点：（1）流过每个电阻的电流都相等，即电流强度处处相等。（2）电路两端的总电压等于各电阻两端的电压之和。（3） ...
电力网供给用户的是交流电,而各种无线电装置需要用直流电。整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。下面介绍利用晶体二极管组成的各种整流电路。...
一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的E...
第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方...
PTC是Positive Temperature Coefficient 的英文字头缩写，意思是正的温度系数，泛指正温度系数的半导体材料或元器件；若其阻值随着环境温度的升高而升高；相对应的有NTC，则是Negative Temperature Coefficient的英...
1:Pppm最大峰值脉冲功率 600W，通过10/1000us波形测试得到(Single Die)。这个参数是TVS瞬间承受的最大功率。如图可知功率值等于最大钳位电压Vc和最大峰值脉冲电流Ipp的乘积。2:Vr最大反向工作电压，无操作即可施加到...
这篇文章是 AAC 的模拟电路集的一部分，讨论了一个有趣的电路，其中运算放大器和普通二极管一起工作以创建超级二极管。二极管是我们最早了解的电子元件之一。它们的重要性可能不会立即变得清晰——但一段时间后，我...
对于咱们电源工程师来讲，很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。测试MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，...
1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，最后用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构...
一、电容降压原理电容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流...
MOSFET 技术自问世以来就被广泛认为是电源管理电路中开关的绝佳选择。自 20 世纪 70 年代后期开始商用，垂直扩散 MOSFET (VDMOS) 结构率先满足了电源开关的需求。1由于其卓越的开关性能和高输入阻抗，MOSFET 迅速成...
一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的E...
了解 I 2 C 及其带来的一些设计挑战，包括逻辑阈值、影响电容的因素以及最小和最大上拉电阻。本文介绍了哪些变量会影响总线的电容。它还着眼于用于确定上拉电阻大小和确定电路走线的最大长度的数学计算。让我们从讨...
分类：元器件应用 时间：2023-05-05 阅读：706 关键词：电容,电阻
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对...
