IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的特点，能够实现高电压...
SMT(Surface Mounted Technology,表面组装技术或表面贴装技术)是一种将无引脚 短引线表面组装元器件（简称片状元器件）安装在PCB（Printed Circuit Board，印制电路板）的表面或其他基板的表面上，通过再流焊或浸焊...
GaN 是一种二元化合物，由一个镓原子（III 族，Z = 31）和一个氮原子（V 族，Z = 7）组成，具有纤锌矿六方结构。镓原子和氮原子通过非常强的离子化学键结合在一起，从而产...
变压器的功能和应用 变压器的类型和用途多种多样，可根据其应用、结构类型和尺寸进行分类。 一般来说，变压器的主要功能是改变交流电（AC）的电压水平，提高电压以供长距离传输或降低电压以供家庭和工业消费者...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...
分类：元器件应用 时间：2024-06-14 阅读：536 关键词：二极管,MOSFET
Toshiba -东芝推出“XCUZ系列”浪涌保护齐纳二极管产品，适用于汽车设备
该系列产品符合AEC-Q101标准，适用于汽车设备（IVI[2]、ADAS[3]、BMS[4]等）。同时可避免受到各种来自车载ECU[1]电源线和连接器的噪声（静电放电（ESD）、纳秒级ESD、微秒级到毫秒级开关浪涌等）的影响，并防止系统...
自耦变压器（Autotransformer）是一种特殊类型的变压器，它只有一个绕组，但在电气上可以实现升压或降压的功能。自耦变压器与普通变压器的最大区别在于它们的绕组结构和能量传递方式。下面是对自耦变压器工作原理的...
一、ADC0809的主要特性8路输入通道，8位A/D转换器，即分辨率为8位。具有转换起停控制端。转换时间为100μs（时钟为640KHz时），130μs（时钟为500KHz时）。单个+5V电源供电。模拟输入电压范围0～+5V，不需零点和满刻...
分类：元器件应用 时间：2024-06-06 阅读：825 关键词：ADC0809
共模半导体推出40V，3ppm／℃低噪声、高精度基准电压GM7400，可替代ADI的ADR01等产品
『共模半导体』推出40V，3ppm/℃低噪声、高精度基准电压GM7400，GM7400是一款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知...
Toshiba - 东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信...
共模电感（Common Mode Inductor），也称为共模扼流圈，是一种特殊的电感器件，主要用于抑制共模噪声（Common Mode Noise）。以下是关于共模电感的详细解释及其特性： 定义 共模电感是一种具有两个相邻线圈的...
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中...
整流桥是一种电路元件，用于将交流电转换为直流电。它通常由四个二极管组成，排列成一个桥型电路。整流桥接线方法有两种常见的方式：全波整流和半波整流。 全波整流： ...
本文将阐述系统能效的重要性，并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准，包括 SiC 功耗、SiC 导通和关断基本原理以及如何减少开关损耗。此外，我们将介绍首款集成负偏压的 3.75 kV 栅极驱动器 NCP(V)51752。 能效提...
钽电解电容器与铝电解电容器相比较，具有体积小、漏电流小、损耗低、温度特性好、稳定性好、寿命长等优点，但价格较高。钽电解电容器自身电感较小，多用于频率较高的交流电路中。 钽电解电容器分为固体钽电解电容...
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的...
分类：元器件应用 时间：2024-05-24 阅读：918 关键词：MOSFET栅极驱动器
TVS二极管（Transient Voltage Suppression diode），也称为电压穿透型二极管，是一种专门设计用来保护电子设备不受过电压损坏的电子元件。 简介 TVS二极管通常是一种双向导通的二极管，能够在电路中对过电压...
分类：元器件应用 时间：2024-05-23 阅读：826 关键词：tvs二极管
PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的场效应晶体管（FET），其工作原理如下： PMOS管由一个p型的沟道和两个n型的源极和漏极组成。在沟道和源极之间存在一个绝缘层，称为氧化层或门绝缘层。...
结型场效应晶体管 (JFET) 通常需要向栅极端子施加一些反向偏置电压。 在 HF 和 UHF 应用中，通常使用源电阻器 Rs 两端的电压提供此偏置（图 1）。 图 1：JFET 通常需...
