在半导体技术飞速发展的今天，GaN HEMT 器件凭借其独特的性能优势，在电子领域展现出了巨大的应用潜力。继上一篇屏蔽栅 MOSFET 技术简介后，我们这次将深入介绍 GaN HEMT 器件的结构、工作模式、应用领域以及面临的...
分类：基础电子 时间：2025-09-03 阅读：284 关键词：GaN HEMT 器件
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
时间：2025-08-20 阅读：307 关键词：氮化镓电源 IC
基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器设计方案
随着全球对能源可持续性和能源安全的关注度不断提升，储能系统的需求在住宅太阳能装置等领域呈现出加速增长的态势。在当前市场上，存在功率高达 2kW 且带有集成式储能系统...
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 ...
时间：2025-06-04 阅读：725 关键词：纳芯微
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
在设计汽车转换器时，尺寸，成本和可靠性是关键因素。为了满足这些标准，最简单的双向拓扑；选择同步的降压/反向提升转换器。最大化能源效率也是至关重要的，在这里，设计...
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池...
电动车设计师的目的是使电动汽车更轻，更自动，并且通过提供更多功率，降低系统尺寸并最大程度地减少散热的场所，并使用较小的电池。 通过在电力转换，高频切换和热管理...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2025-02-28 阅读：395 关键词：GAN ADVANTS EV电源
由于GAN的高开关速度，寄生电感 与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的...
步骤 1 – 栅极驱动器选择 驱动 GaN 增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT) 的栅极与驱动硅 (Si) MOSFET 的栅极有相似之处，但也有一些有益的区别。 驱动 GaN E-HEMT 并...
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 目前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准。在该标准中，大多数规格，包括输入和输出...
第一种配置是微型逆变器，它为安装中的每个面板使用逆变器，确保每个面板都能发挥其全部能源潜力。第二个是串式逆变器，它将多个面板连接在一起并向中央逆变器供电。然而，...
传统两级与单级转换 在传统的两级功率转换系统中，功率因数校正（PFC）和DC/DC转换是分开处理的，需要多个组件并导致更高的成本、更大的外形尺寸和更大的复杂性。 由...
时间：2024-11-27 阅读：838 关键词： GaN 开关
STS8200 用于动态测试三个 p-GaN HEMT 器件。这些标有 A/B/C 的 650 V 额定器件来自不同制造商，典型室温导通电阻 (RDSON) 额定值分别为 240 mΩ、130 mΩ 和 40 mΩ。如图 1 所示的测试电路使用可调电阻负载来实现...
结合 GaN IC 的横向和垂直几何形状 结合两全其美是垂直 GaN 功率 IC 开发背后的座右铭。 横向 GaN 技术及其HEMT 设计彻底改变了电力电子领域，与传统的硅基功率晶体...
漏极过电压应力 在开关转换期间，功率转换器中可能会出现漏极过电压。有多种因素会影响这些过冲的严重程度，包括正在切换的电流的转换率 (dI/dt) 以及与封装和外部连接...
分类：元器件应用 时间：2024-10-31 阅读：382 关键词：p-GaN HEMT功率器件
保护 USB 端口、不同电源供电的设备的开关电路以及高侧负载开关免受浪涌影响，都依赖于双向电压阻断和电流传导。到目前为止，设计人员只能使用两个在共源极配置中背对背连...
共源共栅和 E 模式 GaNFET 的演变和可靠性 共源共栅 GaN 的结构如图 1 (a) 所示，在共源共栅配置中结合了低压常关硅 MOSFET 和高压常开 GaN HEMT。该组合有效地产生了增...
分类：电源技术 时间：2024-10-09 阅读：615 关键词： GaNFET
