晶体管类型及结构 1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体管。采用平面工艺制成的 NPN型硅材料...
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如，如果传感器响应是对数函数，则线性化部分的响应必须是指数的。 这项工作首先获取传感器响应...
如果我们尝试将pn结焊接到np结，我们会得到如图 1 所示的器件，其中字母 E、B 和 C 分别表示发射极、基极和集电极。这些是分配给三个区域p、n、p的名称。 这样我们就创...
在本文中，我们将了解各种晶体管的符号。 相关信息 AAC教材中逻辑门、锁存器和触发器的符号 双极结型晶体管的符号 什么是 BJT？ 双极结型晶体管 (BJT) 由三层半导体材料组成。它们可以排列为 NPN 或P...
分类：元器件应用 时间：2023-11-08 阅读：0
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得最大利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源...
微型自感晶体管恒温器使用单个晶体管（BJT 或 FET）充当温度传感器和稳定加热器。这些晶体管恒温器（如果设计良好）是一种有效、高效且廉价的方法，可维持单个组件（传感器...
本应用笔记介绍了 ISL73096RH/ISL73127RH/ISL73128RH 晶体管阵列，并重点介绍了采用这些特色晶体管阵列设计射频放大器。本笔记提供了匹配（800 MHz 至 2500 MHz）高增益低...
分类：电源技术 时间：2023-08-23 阅读：1164 关键词：ISL73xxxRH
组装精密温度控制系统通常会带来两个特殊的设计挑战： 准确且经济高效地感测要控制的温度。 通过控制电路闭合温度传感器与热源和/或冷却源之间的反馈回路，包括高增...
GaN 功率晶体管具有高跨导和宽带宽，可实现非常快速的开关转换，即使在硬开关应用中也能实现极低的损耗。然而，快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能对主 GaN 功率晶体...
时间：2023-08-10 阅读：627 关键词：GaN 晶体管
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
图 1 所示的 Science Fair 150 合 1 电子项目套件页面中的电路将稍作修改。将使用无焊面包板和现代电子元件来讨论和说明经典电路。此外，还将使用 Multisim Live 和 Autode...
分类：光电显示/LED照明 时间：2023-07-11 阅读：1456 关键词：LED 显示屏
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通...
降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例...
在 NPN 晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流...
假设我们正在使用一个简单的电路，该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成，连接方式如下： 如果您施加一个足够高的电压 V IN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 R B，通过 BE 结，到达地...
它包含三个想法。将双极型功率晶体管复用在温度自测和自发热之间，从而实现自控温度。关闭恒温器晶体管与需要温度控制的组件的热耦合。因此，当晶体管对自身进行恒温时，它也会对与其热结合的组件进行恒温。利用?Vbe...
光耦合器或光隔离器是一种电子器件，通过发射光穿过其输入和输出之间的电气隔离栅来传输电子信号。光耦合器的主要目的是防止隔离栅一侧的高电压或电压尖峰损坏组件或干扰传输到另一侧的信号。市售光耦合器可以承受3 ...
分类：光电显示/LED照明 时间：2023-06-02 阅读：1221 关键词：LED
