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发光二极管

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分类：元器件应用 时间：2009-04-28 阅读：1424 关键词：发光二极管

稳压二极管的主要参数

稳定电压Uz即对应于图（a）中A点的电压；稳定电流Iz，即接近于图（a）中B点的电流，通常稳压二极管的工作电流大于此值，使它有较好的稳压作用；工作电流或允许电流IZmax；耗散功率为Pz可根据Pz＝IzmaxUz．进行计算；...

分类：元器件应用 时间：2009-02-20 阅读：4537 关键词：稳压二极管的主要参数稳压二极管

隧穿二极管

隧穿二极管是1958年由日本的L．Esaki提出的，也叫f江崎二极管”。隧穿二极管是PN结二极管的一种特殊形式，其半导体材料的载流子掺杂浓度为每立方厘米10(19)或1020个原子，这是普通的PN结二极管的1O～1000倍。由耗尽...

分类：元器件应用 时间：2009-02-14 阅读：4052 关键词：隧穿二极管二极管

肖特基势垒二极管

肖特基势垒二极管（也叫热载子二极管）在机械构造上与点接触二极管很相似，但它比点接触二极管要耐用，而且功率也更大。图（a）给出了肖特基势垒二极管的基本构造。图（b）是其等效电路。这种形式的电路是威廉姆·肖...

分类：元器件应用 时间：2009-02-14 阅读：4542 关键词：肖特基势垒二极管二极管

早期的微波二极管

微波晶体管器件的发展也经历了微波真空管发展过程中所遇到的相同问题。正如电子渡越时间限制了真空管的工作频率一样，它也限制了半导体器件的工作频率。通过半导体区域所需要的渡越时间不仅仅由该区域的厚度决定，还...

分类：元器件应用 时间：2009-02-14 阅读：4246 关键词：早期的微波二极管LN23微波二极管

PIN二极管及其应用

大部分现代无线电收发设备（例如发射机以及接收机）不使用中继器来实现接收状态和发送状态之间的转换。多数情况下，这种切换用PIN二极管实现。类似地，中频滤波器或前端带通滤波器的选择也是通过一个响应直流电的面...

分类：元器件应用 时间：2009-02-14 阅读：8765 关键词：PIN二极管及其应用MPN3404ECG555PIN二极管

变容二极管的应用

变容二极管是电子可变电容。换句话说，变容二极管表现出来的电容是反偏电势的函数。这种现象导致了变容二极管在一些需要考虑电容因素的场合的几种常见应用。图1为一个典型的变容二极管调谐的LC振荡电路。电路耦合电...

分类：元器件应用 时间：2009-02-12 阅读：5099 关键词：变容二极管的应用变容二极管

欧司朗光电推出TO38封装蓝光激光二极管

欧司朗光电(Osram-os)半导体推出优化的TO38封装的蓝光激光二极管，这是同类产品中尺寸最小的二极管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步，将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。激...

分类：其它 时间：2009-02-09 阅读：2408 关键词：欧司朗光电推出TO38封装蓝光激光二极管激光二极管

Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出业界最小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAKSC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Visha

分类：元器件应用 时间：2009-01-13 阅读：2323 关键词：Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK肖特基二极管SiB800EDK

普通二极管和稳压二极管的检测

普通二极管（如检波二极管）和小功率稳压二极管的外形十分相似，若管子上的字迹脱落，由于它们的外形相似而无法区别。但是它们的性还是有两个明显的不同之处，普通二极管多工作在正向导通和反向截止状态下，稳压二极...

分类：元器件应用 时间：2008-12-03 阅读：4452 关键词：普通二极管和稳压二极管的检测二极管

发光二极管发光光谱特性及温度特性基础理论

对于直接带隙半导体来说，峰值波长杨同其禁带宽度相对应；而对于掺ZnO或N的GaN等直接带隙材料来说，峰值波长由等电子陷阱发光中心的位置决定。半导体中，参与电子－空穴复合的能带有一定宽度，而不是能级之间的载流...

分类：元器件应用 时间：2008-12-03 阅读：5303 关键词：发光二极管发光光谱特性及温度特性基础理论发光二极管

发光二极管发光强度基础理论

发光强度Iv指发光二极管在正向工作电流驱动下发出的光强。发光强度的单位为坎德拉，符号记为cd。其定义为：波长为550nm（即频率为540×10Hz）的单色光源发光时，如果它在某一方向上的辐射强度为1／681w／sr（瓦／球...

分类：元器件应用 时间：2008-12-03 阅读：3017 关键词：发光二极管发光强度基础理论发光二极管发

发光二极管性质基础理论

发光二极管的输出光是由有源层的电子和空穴的自发辐射复合产生的，图1说明了一种直接带隙半导体双异质结二极管在正向偏置电压下禁带结构和载流子浓度分布情况。　　图1 双异质结二极管在正向偏置电压下禁带结构和载...

分类：元器件应用 时间：2008-12-03 阅读：4553 关键词：发光二极管性质基础理论发光二极管

半导体光发射二极管的基本结构

半导体光发射二极管本质上就是一个pn结二极管，但各种发光二极管的具体结构却不尽相同。图给出了几种发光二极管的基本结构。　　这些发光二极管的有源层通常是在体材料上形成的。尽管用于显示应用的LED都是发射可见...

分类：元器件应用 时间：2008-12-02 阅读：4933 关键词：半导体光发射二极管的基本结构二极管

光发射二极管概述

半导体发光二极管以其优越的性能弥补了半导体激光器的不足囵，其主要特性为：（1）无阈值特性，在很低电流下就可以实现有效发光；（2）P-I特性好，容易进行信号调制，但是调制速率较低；（3）热稳定性好，输出功率随...

分类：元器件应用 时间：2008-12-02 阅读：2053 关键词：光发射二极管概述二极管

集成横向PIN光电二极管

图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管［59～60］。　　图1 NMOS集成横向PIN光电二极管　　由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上，因而I层的厚度可以...

分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3702 关键词：集成横向PIN光电二极管DELTA二极管