Vishay新款高速PIN光电二极管进一步提升可见光灵敏度，为可穿戴设备实现超薄传感器设计
Vishay新款高速PIN光电二极管 进一步提升可见光灵敏度，为可穿戴设备实现超薄传感器设计 设备提供精准的信号探测，SMD封装尺寸仅为4.8mm×2.5mm，断面实现业界领先的超薄0.48mm 宾夕法尼亚、MALVERN ...
分类：元器件应用 时间：2018-06-22 阅读：698 关键词：Vishay新款高速PIN光电二极管进一步提升可见光灵敏度，为可穿戴设备实现超薄传感器设计Vishay,传感器
一、判别正、负极 根据光电二极管的引脚排列，靠近管键或标有色点的一脚为正极（即P极），另一脚则是负极（即N极）。对长方形的管子，往往做出标记角，指示受光面的方向...
分类：电子测量 时间：2017-10-12 阅读：1491 关键词：如何检测光电二极管的检测
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出6颗新的汽车级高速硅PIN光电二极管---VEMD1060X01、VEMD5060X01和VEMD6060X01，以及VEMD1160X01、VEMD5160X01和VEMD6160X01，...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2016-02-29 阅读：1098 关键词：Vishay推出新款汽车级PIN光电二极管
在用于光检测的固态检波器中，光电二极管仍然是基本选择。光电二极管广泛用于光通信和医疗诊断。其他应用包括色彩测量、信息处理、条形码、相机曝光控制、电子束边缘检测、...
时间：2015-09-09 阅读：13844 关键词：光电二极管原理及前置放大器电路
玻封二极管在一些情况下可能会受到光照影响，并由此产生嗡嗡声，其中玻封二极管的光敏性也会引起100/120Hz低频噪声。有些工程师经常会需要一款相对廉价的光电检测器，但他们经常表示1N4148的作用并不明显。如何进行...
时间：2015-04-22 阅读：1656 关键词：LED也是光电二极管
光电二极管广泛见诸于众多的应用，其用于把光转换为可在电子电路中使用的电流或电压。从太阳能电池到光数据网络、从高仪器到色层分析再到医疗成像等均在此类应用之列。所有...
分类：元器件应用 时间：2015-04-16 阅读：3539 关键词：用于宽范围光电二极管的跨阻抗放大器具有苛刻的要求
光电二极管将一种基本物理现象（光）转换为电形式（电流）。设计工程师系统地将光检测器电流转换为可用电压，让光电二极管信号的处理易于控制。处理光传感电路问题的方法有...
分类：模拟技术 时间：2011-08-26 阅读：3191 关键词：如何降低光电二极管带宽和噪声影响光电二极
雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时，能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就...
利用DS1841对数电阻优化雪崩光电二极管（APD）的偏置范围
摘要：本文阐述了如何使用DS1841对数电位器调节APD偏置电路的输出范围。为了使调节过程更简单，本文还提供了电子数据表。 APD偏置电路 DS1841可受温度控制的非易失(N...
分类：元器件应用 时间：2009-06-15 阅读：3789 关键词：利用DS1841对数电阻优化雪崩光电二极管（APD）的偏置范围DS1841MAX1523MAX5026电阻二极管
GBT18904.5-2003 半导体器件 光电子器件用pin光电二极管空白详细规范.exe
GBT18904.5-2003半导体器件光电子器件用pin光电二极管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.htm来源:枫叶
分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：2039 关键词：GBT18904.5-2003 半导体器件 光电子器件用pin光电二极管空白详细规范.exe
GBT18904.5-2003 半导体器件 光电子器件用pin光电二极管
GBT18904.5-2003半导体器件光电子器件用pin光电二极管.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.htm来源:xiayan
分类：元器件应用 时间：2009-04-28 阅读：2107 关键词：GBT18904.5-2003 半导体器件 光电子器件用pin光电二极管
图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管［59～60］。 图1 NMOS集成横向PIN光电二极管 由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上，因而I层的厚度可以...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3681 关键词：集成横向PIN光电二极管DELTA二极管
N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的宽度太小，大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩散运动，这就大大限制了光电...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：4170 关键词：双光电二极管（DPD）CMOS二极管
光电二极管采用2μm N阱CMOS工艺中的N阱-P衬底pn结来作光电二极管［51］。系统未加优化时，780 nm波长下3 dB带宽大于1.5 MHz，5V偏压下漏电流密度为0.5 pA/mm2，响应度R=0....
最简单的制作CMOS OEIC的方法，就是利用CMOS工艺中能够很容易实现的pn结来作光电二极管，这其中包括源/漏-衬底pn结、源/漏-阱pn结，以及阱-衬底pn结。然而，这些pn结光电二...
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3450 关键词：集电极形成的PIN光电二极管二极管
图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2239 关键词：双极工艺光电二极管二极管
光电二极管是具有代表性的光电传感器，被使用于想得到与光量成比例的信号的场合。光电二极管的输出信号，即电流非常微弱．从光电二极管的输出电流上，获得电压的最简单的方...
