光电探测器（Photodetector）的定义光电探测器是一种将光信号（光子）转换为电信号（电流或电压）的半导体器件，广泛应用于光通信、成像、传感、测距等领域。其核心原理是光电效应（光子激发电子跃迁，产生可测电信...
随着锂离子电池价格的持续下降，它们正在迅速取代传统上用于汽车和其他交通工具的铅酸电池。这导致废旧铅酸电池突然大量涌现，如果回收不当，将对环境和人类造成危害。为了...
据报道，激光雷达(LiDAR)与其它传感器技术(摄像头、雷达和超声波)的相互竞争增加了对传感器融合的需求，同时也要求对光电探测器、光源和MEMS微镜的仔细甄选。 随着传感...
分类：传感技术 时间：2018-08-02 阅读：1556 关键词：如何选择汽车LiDAR的激光器和光电探测器LiDAR,激光器,传感器
据麦姆斯咨询报道，激光雷达（LiDAR）与其它传感器技术（摄像头、雷达和超声波）的相互竞争增加了对传感器融合的需求，同时也要求对光电探测器、光源和MEMS微镜的仔细甄选...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2017-12-20 阅读：877 关键词：光电探测器,激光雷达,lidar
据麦姆斯咨询报道，激光雷达（LiDAR）与其它传感器技术（摄像头、雷达和超声波）的相互竞争增加了对传感器融合的需求，同时也要求对光电探测器、光源和MEMS微镜的仔细甄选...
分类：元器件应用 时间：2017-11-21 阅读：833 关键词：汽车LiDAR的激光器和光电探测器选用建议
摘要：对一种响应近红外的新型量子光电探测器特性进行测试和分析，给出了2×8探测器阵列和读出电路的对接测试结果，设计初步的成像系统采集显示焦平面输出。探测器有一个-0...
分类：光电显示/LED照明 时间：2013-08-30 阅读：2704 关键词：新型量子光电探测器读出与显示光电探测器探测器红外探测光照
光敏应用的首要工作是让跨阻抗放大器电路拥有良好的稳定性。WEBENCH? 设计器工具 TI 开发人员致力于为客户提供拥有 60°相位裕量的光敏设计，也即约 8.7% 的阶跃输入信号过...
分类：电子测量 时间：2012-12-29 阅读：3067 关键词：WEBENCH工具与光电探测器稳定性WEBENCH工具光电探测器稳定性
（1）各种光电探测器的性能比较在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为最好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为最好；在灵敏度方...
分类：电子测量 时间：2008-12-06 阅读：6740 关键词：各种光电探测器的性能比较和应用选择光电探测器
光电仪器研发的前提是社会需求，设计者把需求转化成仪器的质量指标和设计参数通过相关的资料、专利、文献的查询和必要的实验验证，然后进行总体设计（或综合化设计）。尽管现代光电仪器是多个高新技术的综合体，但作...
分类：电子测量 时间：2008-12-06 阅读：2268 关键词：光学系统与光电探测器电探测器
为了减小氧化层残余电荷引起界面陷阱中心使载流子消失以提高转移效率，可以在氧化层和衬底之间增加一层隐埋层使转移沟道从表面移向体内。由图1（b）可以看出，势能极小值脱离了界面进入了体内，避免了表面态的影响，...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2880 关键词：光电探测器阵列CCD转移特性探测器
目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明［82］，此后关于CCD的研究蓬勃发展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm，像素单元也从最早的不足2000增加到两千六百多万［83...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3037 关键词：光电探测器阵列CCD摄像器件MOSFET探测器
将多个PN型光电探测器组成阵列，可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探测器阵列上的光学图像信息以电信号形式按时序串行输出。常见的固体摄像器件有CMOS（Complementary Metal Oxide Semico...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2964 关键词：光电探测器阵列摄像器件的像素基本结构DEVICESEMICONDUCTORCMOSCOMPLEMENTARY探测器
集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因素。 图1 基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2171 关键词：工艺下集成光电探测器探测器
一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测器（Spatially-Modulated-Light Detector）结构被提出[57]，如图1（a）所示。由N+扩散和N阱形成六个叉指探测区域，N+...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2617 关键词：空间调制光电探测器CMOS探测器
图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2687 关键词：工艺参数下光电探测器的器件模拟LUCENTCMOS探测器
图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，N阱与P＋区构成一个二极管，称为工作二极管D。；N阱与衬底构成一个二极管，称为屏蔽二极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：1930 关键词：二维器件模拟光电探测器的结构CMOS探测器
CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3752 关键词：基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器SILICONCMOSLATCH探测器
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p＝6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二极管的P＋阳...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2104 关键词：集成光电探测器彩色传感器传感器
目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：1774 关键词：基于硅基双极型工艺的光电探测器CMOS探测器
