双极型晶体管技术资料-维库电子市场网

IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。　　图 7-17...

分类：基础电子时间：2024-08-28 阅读：1015 关键词：IGBT

双极型晶体管　　双极型晶体管一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质可以分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用作...

分类：元器件应用时间：2020-10-27 阅读：1651 关键词：双极型晶体管的结构_工作原理及特性曲线双极型晶体管

导读：近年来，开关电源已被越来越多的用户所采用，作为开关电源用的大功率开关器件IGBT以其独特的良特性，在各种电力电子装置中得到了广泛应用。而了解IGBT的可靠性能、检测及使用时的注意事项对实际中的应用是十分...

分类：基础电子时间：2014-02-28 阅读：1836 关键词：绝缘栅双极型晶体管的可靠性能解析绝缘栅双极型晶体管IGBT 晶体管

GBT6217-1998半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.

分类：元器件应用时间：2009-05-06 阅读：1419 关键词：GB T 6217-1998 半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GB-T6217-1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/34623

分类：元器件应用时间：2009-05-06 阅读：1524 关键词：GB-T 6217-1998 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GB-T6218-1996开关用双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.htm来源:枫叶

分类：元器件应用时间：2009-05-06 阅读：1569 关键词：GB-T 6218-1996 开关用双极型晶体管空白详细规范.exe

GB-T7576-1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.

分类：元器件应用时间：2009-05-06 阅读：1788 关键词：GB-T 7576-1998 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细

GBT_6218-1996开关用双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.htm来源:枫叶

分类：元器件应用时间：2009-05-06 阅读：1544 关键词：GBT_6218-1996开关用双极型晶体管空白详细规范.exe

闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连，形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个...

分类：光电显示/LED照明时间：2008-12-02 阅读：7766 关键词：寄生双极型晶体管闩锁效应的影响CMOS 晶体管

1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换...

分类：电子测量时间：2007-09-26 阅读：4010 关键词：检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法IGBT220V

虽然二极管是很有用的器件，但它不能放大信号，几乎所有的电路都以某种方式要求放大信号。一种能放大信号的器件就是双极型晶体管（BJT）。 .18是两种双极型晶体管的结构图。每个晶体管有3个半导体区，他们分别是发射...

分类：元器件应用时间：2007-04-29 阅读：6924 关键词：双极型晶体管原理

双极型晶体管的性能能用一幅基极电流，集电极电流和集电极－发射极电压曲线图来说明。.21就是一幅典型的集成NPN管的曲线图。纵坐标表示集电极电流Ic，而横坐标是集电极－发射极电压Vce。在这同一个坐标中有很多曲线...

分类：其它时间：2007-04-29 阅读：2856 关键词：双极型晶体管I-V特性

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAsHBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用....

分类：其它时间：2007-04-29 阅读：1832 关键词：高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管2002 2003 2001

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