BiCMOS 逻辑系列 BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上，结合了两个系列的优点。双极逻辑系列具有更高的开关速度和更高的输出驱动电流容量。CMOS 系...
它具有ARM处理器的所有优点——低功耗、高性能和较为丰富的片上资源，但LPC2131内部没有集成CAN控制器，而无法利用CAN总线来进行通信。为了使得LPC2131能够利用CAN总线进行通信，可以通过外部扩展来实现其功能。目前...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2018-08-04 阅读：613 关键词：全差分BiCMOS采样 保持电路仿真设计电路,BiCMOS
0 引言 随着数字技术、微机和模数转换技术的研究与进展，作为模拟和数字信号接口电路的模数转换器(ADC)得到了广泛应用。由于ADc中的重要组成单元——采样／保持(S／H)...
0 引言 随着无线通信事业的飞速发展，产生了多种通信技术标准，诸如Bluetooth，GSM，WiFi，ZigBee等，通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看...
分类：电源技术 时间：2010-06-04 阅读：2820 关键词：1.9～5.7 GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCOTDS5034B
Maxim推出宽带、多制式硅调谐器MAX3543，支持全球范围的混合型电视以及陆地、有线机顶盒设计。器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺，具有业内最佳的调谐性能，标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。借助MAX3543，用户能够...
分类：电子测量 时间：2010-04-21 阅读：3424 关键词：Maxim推出高性能BiCMOS工艺制造的硅调谐器硅调谐器
在1.3～1.55 gm波长光纤通信窗口，广泛使用的是III-V族InGaAs、InGaAsP探测器。这些III-V族探测器性能优异，工作速率可达20Gb/s乃至达到40Gb/s，有很好的响应度和量子效率。然而，由于工艺结构复杂使得这样的探测器...
分类：元器件应用 时间：2008-12-02 阅读：2870 关键词：在修改BiCMOS工艺条件下实现光电集成ELECTRIC光电
由于CMOS工艺通常只提供单电压工作，不允许探测器电压高于电路工作电压，而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作，这就减小了探测器耗尽区宽度，影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响...
分类：元器件应用 时间：2008-12-02 阅读：2132 关键词：BiCMOS工艺单片集成光电接收器BiCMOS
美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高及低电压放大器
采用模拟VIP50工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率美国国家半导体公司(NationalSemiconductorCorporation)(美国纽约证券交易所上市代号：NSM)采用该公司专有的全新VI...
分类：模拟技术 时间：2007-12-11 阅读：2368 关键词：美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高精度及低电压放大器SOT23LMP7701LMP7711LMV651LMV791LPV511LPV7215
东芝推出支持WLAN、PHS及蓝牙的SiGe BiCMOS功放IC
东芝美国电子元器件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,TAEC)日前发布一款中等功率SiGeBiCMOS功率放大器TA4401CT，该产品适合于1.9GHz至2.5GHz频带的无线应用，包括无线LAN(WLA
分类：模拟技术 时间：2007-12-07 阅读：2107 关键词：东芝推出支持WLAN、PHS及蓝牙的SiGe BiCMOS功放IC
飞利浦电子公司(RoyalPhilipsElectronics)日前推出采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，号称业界最小的BiCMOS逻辑器件。这种器件适合于空间受限而对性能有所要求的应用，如组网和电信设备、机顶盒解决方案及其他...
分类：其它 时间：2007-12-07 阅读：1700 关键词：飞利浦首推业内最小的DQFN封装BiCMOS逻辑器件74LVT12574LVT126
飞利浦电子公司日前发布了QUBiC4X技术，这是高性能BiCMOS工艺技术（双极CMOS）中QUBiC4系列产品的最新成员。这一基于硅锗碳（SiGe:C）技术的新工艺令双极晶体管的fT指标超过了130GHz，非常适合于10GHz到30GHz范围之...
分类：电源技术 时间：2007-12-05 阅读：1303 关键词：飞利浦发布面向RF产品的BiCMOS工艺
Maxim推出业界增益、噪声系数的SiGe BiCMOS LNA
Maxim针对GPS、伽利略以及GLONASS应用推出MAX2659高增益、低噪声放大器(LNA)。该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGeBiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩
分类：模拟技术 时间：2007-11-30 阅读：1480 关键词：Maxim推出业界最高增益、噪声系数的SiGe BiCMOS LNAMAX2659
Maxim推出高增益低噪声系数的SiGe BiCMOS LNA
axim针对GPS、伽利略以及GLONASS应用推出MAX2659高增益、低噪声放大器(LNA)。该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGeBiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩点
分类：模拟技术 时间：2007-11-29 阅读：1567 关键词：Maxim推出高增益低噪声系数的SiGe BiCMOS LNAMAX2659
NS推出专有的VIP50 BiCMOS工艺的噪声高放大器系列
美国国家半导体公司宣布推出两款全新的高精度运算放大器。其特点是具有业界的输入电压噪声和最高的准确度，因此适用于以低频及低供电电压操作的系统，例如工业和科研重量计、压力传感器以及其他低电阻传感器。作为美...
分类：模拟技术 时间：2007-10-24 阅读：1565 关键词：NS推出专有的VIP50 BiCMOS工艺的噪声高精度放大器系列SOT23VIP50
摘要：本文给出一种适用于低电压高开关频率升压型DC-DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术，工作电压可达1.5V，在负载电容为60pF条件下，工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路的设计思想...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2380 关键词：一种适于低压高频DC-DC的自举BiCMOS驱动电路
(1．重庆邮电学院 重庆 400065；2．信息产业部电子二十四所 重庆 400060) 摘 要：介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自...
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：1991 关键词：一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级1975
Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块
由IBM微电子公司的一群工程师和管理人员2002年面向无线应用领域而成立的TahoeRFSemiconductor公司专注于RF和模拟IC，最近该公司推出其首批RFIP“CoreTech”产品，包括系列CDMA接收机前端和集成压控振荡器(VCO)。
分类：通信与网络 时间：2007-04-29 阅读：1543 关键词：Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块2002
美国国家半导体公司的专有BiCMOS模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能，为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1489 关键词：BiCMOS 模拟工艺技术LMP7701LMP7711LMV651LPV7215VIP50LMV791LPV511
INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGEBICMOS工艺技术，该工艺制作了10GHz的锁相环回路（PLL）。这种10GHz的SIGEBICMOSPLL设立了高速低功耗和集成的射频（RF）IC的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种P
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1199 关键词：高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术
一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路西安电子科技大学CAD所潘华兵来新泉贾立刚引言在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2569 关键词：一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路
