本文介绍了三种 CCD（电荷耦合器件）图像传感器体系结构的特点、优点和缺点，涉及全帧（FF）、帧传输（FT）和行间传输（IT）三种 CCD 的架构。 全帧（Full-Frame）CCD 半导体区域既可以作为光电元件，也可以作...
1969年，沃勒德?保尔(Willard Boyle)与乔治?艾沃德?史密斯(George E. Smith)于美国电报电话公司的贝尔实验室(AT&T Bell Labs)发明了电荷耦合组件(Charge Coupled Device，CCD)。1970年，二人把记述CCD发明的技术...
ON Semiconductor推出使用Interline Transfer EMCCD图像传感器深入阴影技术
如何能看到您看不见的？虽然这个问题听起来可能有点傻，但实际上，这是每天在试图解决最具挑战的成像情况时都面临的一个问题。您如何深入到一个黑暗的阴影中“看到”，并仍然能够提取隐藏在那里的有价值的信息？或者...
推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出新类的电荷耦合器件（CCD）图像传感器技术，为工业市场的微光成像树立新的基准。 这新技术结合安森美半导体业界...
安森美半导体扩充高性能电荷耦合器件（CCD）图像传感器产品阵容，推出针对工业成像应用的最新器件。安森美半导体先进的CCD图像传感器系列新增860万像素先进摄影系统H型（APS-H）光学制式KAI-08670图像传感器，提供最...
一代CMOS和CCD图像传感器具有更大的频谱宽度、更高的灵敏度、更低的工作噪声和更小的外形尺寸。更先进的制造工艺还实现了更低的成本。此外，创新架构也正在给电路设计带来...
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方...
TDI（TimeDelayedandIntegration）CCD（即时间延迟积分CCD）是近几年发展起来的一种新型光电传感器。TDI-CCD是基于对同一目标多次曝光，通过延迟积分的方法，大大增加了光能的收集，与一般线阵CCD相比，它具有响应度...
构成CCD的基本单元是MOS（金属－氧化物－半导体）结构。CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。工作时，需要在金属栅极上加一定的偏压，形成势阱以容纳电荷，电荷的多少与光强成线性关系。电荷读出时，在一定相位...
摘要：TC237B是美国德州仪器(TI)公司生产的黑白电荷耦合器件(CCD)图像传感器。详细介绍TC237的主要特点，引脚功能和结构原理，给出TC237B在嵌入式图像采集系统中的具体应用实例。 关键词：CCD；图像传感器；TC23...
摘要：μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。文章介绍了μPD3575D的主要特点、结构原理、引脚功能、光学/电子特性、驱动时序以及驱动电路。 ...
摘要：本文在对CCD图像传感器的特性进行分析的基础上，阐述了CCD图像传感器在微光电视系统中的应用，重点讨论了CCD与像增强器耦合方式，并指出了应用当中应该注意的几个问题及解决的途径。关键词：CCD，图像增强，微...
