MCU 测试芯片嵌入 10.8 Mbit STT-MRAM 存储器
具有 10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工艺制造）声称可以实现超过 200 MHz 的随机读取访问频率和 10.4 MB...
实时以及存储和转发机载处理应用程序越来越需要大量快速、非易失性存储器。虽然太空级 NAND 闪存提供千兆位 (Gb) 和太位 (Tb) 存储容量，但其速度、耐用性、数据保留以及错...
时间：2023-02-25 阅读：293 关键词：NAND 闪存
在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更...
总结 一种新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) IP为高性能嵌入式应用提供了一个有吸引力的选择。 介绍 如今，社会上广泛的应用程序都迫切需要嵌入式非易失性内存IP。 embedded memory requirements ...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2020-06-29 阅读：631 关键词：嵌入式
一.MRAM简介 磁随机存储器（Magnetic random access memory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器之一（图1）。与其他存储技...
时间：2018-10-16 阅读：1453 关键词：存储
嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的
如今，除了逻辑元件和其他专用电路元件外，典型的微控制器 （MCU） 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是，要将浮栅 （FG） 的制...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2018-06-08 阅读：154
本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 铁电存储器(FeRAM) 铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高...
Everspin科技推出MR4A16B业界首款16Mb MRAM
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（IntegratedMagnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发
分类：其它 时间：2010-05-19 阅读：3012
MRAM内存技术利用磁矩存储位态，业已证明完全可以满足众多的商业应用。而型号为MR2A16A的存储器，具有许多独特的特征，可以适用于许多方面的应用。 MRAM的特征 4Mb的MR2A16A以256Kx16位配置进行排列。它采用异...
磁阻随机存取存储器（MRAM）产品的领先提供商飞思卡尔半导体日前为西门子工业自动化部门开发的工业触摸屏应用提供非易失性MRAM技术。飞思卡尔的4MbitMRAM器件已经集成到西门子SimaticMultipanelMP277和工业自动化系...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-06-04 阅读：2671
据中科院物理所网站报道，最近，中国科学院物理研究所韩秀峰课题组研制了一种新型的磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件，这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生...
分类：元器件应用 时间：2007-12-15 阅读：1297
据中科院物理所网站报道，最近，中国科学院物理研究所韩秀峰课题组研制了一种新型的磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件，这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生...
分类：其它 时间：2007-12-15 阅读：1362
嵌入式半导体设计和制造领域的Freescale半导体成功推出3伏4Mbit扩展温度范围（-40至+105C）非易失性RAM（nvRAM）产品，从而扩展了公司获奖的磁电阻式随机存储器（MRAM）系列产品。该设备可用于恶劣的应用环...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-11-30 阅读：1625
IBM和TDK两公司宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM，以推动MRAM（磁阻内存）的量产和市场推广。联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路，他们将研究如何应...
IBM公司和英飞凌技术(InfineonTechnologies)公司将磁存储器元件集成到高性能逻辑基中，开发出他们所声称的"迄今最先进的磁性随机存取存储器技术（MRAM）。"两家公司相信，该开发成果将加速MRAM的商品化，并有可能在...
分类：其它 时间：2007-06-18 阅读：1336
瑞萨科技公司今日宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM（磁阻式随机存取存储器）技术，用于系统级芯片（SoC）。 瑞萨科技运用这项技术，利用130 nm（纳米）CMOS工艺制造了存储容量为1 Mb的MRAM存储器原型样品。...
