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2SK3355 Datasheet

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  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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2SK3355
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 掳C )
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
140
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT - Percentage of Rated Power - %
P
T
- Total Power Dissipation - W
0
20
40
60
80
100
120 140
160
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
ch
- Channel Temperature -
藲C
T
C
- Case Temperature -
藲C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1000
I
D(pulse)
PW
=1
0
碌
s
I
D
- Drain Current - A
100
d
ite )
m V
Li 10
)
I
D(DC)
=
on
S
S(
R
D
t V
G
(a
10
0
碌
s
1m
s
10
m
s
DC
10
Di
ss
ipa
tio
n
Lim
ite
d
T
C
= 25藲C
Single Pulse
1
0.1
1
10
100
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
r
th(t)
- Transient Thermal Resistance -
藲C/W
100
R
th(ch-A)
= 83.3
藲C/W
10
1
R
th(ch-C)
= 1.25
藲C/W
0.1
Single Pulse
0.01
10
碌
100
碌
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D14132EJ2V0DS00
3

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