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2SK3355 Datasheet

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  • MOS Field Effect Transistor

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2SK3355
SINGLE AVALANCHE ENERGY vs.
INDUCTIVE LOAD
1000
160
140
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V
DD
= 30 V
R
G
= 25
鈩?/div>
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0 V
I
AS
鈮?/div>
75 A
I
AS
- Single Avalanche Energy - mJ
Energy Derating Factor - %
10 m
120
100
80
60
40
20
100
I
AS
= 75 A
E
AS
10
V
DD
= 30 V
R
G
= 25
鈩?/div>
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0 V
100
碌
=5
62 m
J
1
10
碌
1m
0
25
50
75
100
125
150
L - Inductive Load - H
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature -
藲C
6
Data Sheet D14132EJ2V0DS00

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