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FDH44N50

更新时间:2023-09-19 20:34:53

新新半导体（深圳）有限公司
FDH44N50
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FAIRCHILD

品牌
TO-247TO-3PTO-3PF

封装工艺
集成电路(IC)

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FDH44N50外观图

大小：169.18KB
厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
描述：44A, 500V, 0.12 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET
产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
标准包装：150
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：44A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：120 毫欧 @ 22A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：108nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：5335pF @ 25V
功率 - 最大：750W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商设备封装：TO-247
包装：管件

FDH44N50 相关信息

基于IC控制器FAN4810的500WPFC电源的设计

...和D1的耐压至少是500V，以能安全承受400V的DC升压电压。由于通过升压电感器L1的最大峰值电流IL(MAX)=10.45A，故Q1和D1的峰值电流容量不能低于1045A。推荐升压二极管D1选用ISL9R1560P2，Q1选用FDH44N50，FQA28N50，FQA19N60等MOSFETs，或选用FGH40N6S2D，HGTG20N60A4D，FGK60N6S2D等IGBTs。3 实验结果对于图2所示的PFC升压变换器电路，按设计结果选择元器件，焊接在PCB上经检查无误后，...

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