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FDI038AN06A0

更新时间:2025-06-19 21:25:54

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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上海熠富电子科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

FDI038AN06A0 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.8 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
124nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6400pF @ 25V
功率 - 最大
310W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件

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