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FDI2532

更新时间:2025-06-18 01:33:16
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FDI2532外观图

FDI2532

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

  • 封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
FDI2532 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    79A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    16 毫欧 @ 33A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    107nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5870pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    310W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    I2PAK
  • 包装
    管件
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