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FDY2001PZ

更新时间:2025-06-12 12:09:38
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FDY2001PZ外观图

FDY2001PZ

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563F

  • 封装:SOT-563，SOT-666
FDY2001PZ 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    150mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    8 欧姆 @ 150mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    100pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    446mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-563F
  • 包装
    带卷 (TR)
FDY2001PZ Datasheet数据手册 PDF下载
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