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NTLJS1102PTBG

更新时间:2025-07-22 19:27:41
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NTLJS1102PTBG外观图

NTLJS1102PTBG

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

  • 封装:6-WDFN 裸露焊盘
NTLJS1102PTBG 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    720mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1585pF @ 4V
  • 功率 - 最大
    700mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    6-WDFN（2x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
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