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NTLJS2103PTAG

更新时间:2025-06-06 16:31:33

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市星诚通电子有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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N/A/25+
回收此型号NTLJS2103PTAG

深圳市金灿利电子科技有限公司
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NTLJS2103PTAG外观图

NTLJS2103PTAG

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

封装:6-WDFN 裸露焊盘

NTLJS2103PTAG 概述

NTLJS2103PTAG是安森美半导体生产的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用无引脚DFN封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极电压下典型值为20mΩ，有助于降低功耗。其最大漏源电压(VDS)为-20V，适合用于便携式设备中的负载开关、电池保护电路以及电源管理应用。由于具备快速开关性能和紧凑的封装尺寸，它在空间受限的设计中非常有用。此外，NTLJS2103PTAG还具有良好的热性能，能够确保在高密度集成环境下的稳定运行。在实际应用中应注意保证散热条件良好，并按照推荐电路布局以避免寄生电感影响开关性能。

NTLJS2103PTAG 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫欧 @ 3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1157pF @ 6V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-WDFN（2x2）
包装
带卷 (TR)

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