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STD5NK52ZD

更新时间:2024-04-23 10:20:19
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STD5NK52ZD外观图

  • 其它有关文件:STD5NK52ZD View All Specifications
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SuperMESH™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):520V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:16.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:529pF @ 25V
  • 功率 - 最大:70W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:Digi-Reel?
  • 配用:497-8404-ND - BOARD EVAL L6390/STD5NK52ZD
  • 其它名称:497-5735-6
STD5NK52ZD 相关信息
  • 快速二极管MOSFET在三相逆变器拓扑中的应用
    ...在这些特殊应用中体二极管的性能,研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性MOSFET。当二极管导通后被反向偏置,反向恢复峰值电流Irrm较小。我们对比测试了标准的MOSFET和快恢复MOSFET。ST推出的STD5NK52ZD(SuperFREDmesh系列)放在Q2(LF)中,如图4b所示。在Q1 MOSFET(HF)的导通工作期间,开关损耗降低了65%。采用STD5NK52ZD时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下...
  • 巧用快速恢复MOSFET,简化三相逆变器拓扑设计
    ...恢复峰值电流Irrm较小,完成恢复所需要的时间更短(见图3)。 图3:具有快速体二极管恢复特性MOSFET,反向恢复峰值电流较小,恢复时间缩短。 我们对比测试了标准的MOSFET和快恢复MOSFET。ST推出的STD5NK52ZD(SuperFREDmesh系列)放在Q2(LF)中,如图4b所示。在Q1 MOSFET(HF)的导通工作期间,开关损耗降低了65%。采用STD5NK52ZD时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下...

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