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STD5NM60

更新时间:2025-06-12 16:41:06

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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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STD5NM60 概述

STD5NM60是由意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件专为高效能应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）可达600V，适合在高压电路环境中使用。典型的应用包括开关电源、不间断电源系统（UPS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率转换模块。在这些应用场景中，STD5NM60能够帮助提升系统的整体效率，减少能量损耗。使用时应注意适当的散热措施以确保最佳性能，建议查阅最新的数据手册来获取详细的技术参数和推荐的电路布局指导。

STD5NM60 规格参数

典型关断延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
典型栅极电荷@Vgs
13 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds
400 pF V @ 25
安装类型
表面贴装
宽度
6.2mm
封装类型
DPAK
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目
3
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
96000 mW
最大栅源电压
±30 V
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
1
最大连续漏极电流
5 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
配置
单
长度
6.6mm
高度
2.4mm

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