IRF6636
3685
DIRECTFET ST/23+
原装,现货库存
IRF6636
4500
DirectFETST/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
IRF6636
105000
DirectFETST/23+
十年配单,只做原装
IRF6636
22500
DirectFET ST/16+RoHS
保证质量质优价好给你
IRF6636
90000
SOP8/23+
原厂渠道,现货配单
IRF6636
28683
QFN8/21+
原装现货终端免费提供样品
IRF6636
7000
DirectFETST/23+
只做原装现货
IRF6636
9811
/22+
深圳贸泽,最新到货,原厂渠道,只有原装
IRF6636
6500
DirectFETST/21+
原装正品
IRF6636
1200
ECDIRECTFET/20+
现货 如非原装 假一罚十
IRF6636
9000
DirectFET Isometric ST/23+
原厂渠道,现货配单
IRF6636
28000
-/2322+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
IRF6636
3685
DIRECTFET ST/24+
假一罚十,原装现货,支持含税
IRF6636
23000
-/23+
-
IRF6636
30000
-/-
-
IRF6636
50000
MOSFET NCH 20V 18A DIRECTFET/2020+
原装现货配单
IRF6636
3760
QFN/1007+
只做原装 支持BOM配单服务 企业QQ 3003975274
IRF6636
65428
DirectFET/22+
只做现货,一站式配单
IRF6636
53650
SMD/2022+
一级代理,原装正品假一罚十价格优势长期供货
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)推出新款20v directfet mosfet同步降转换器芯片组——irf6610和irf6636。ir表示,这款小型罐式directfet mosfet对性能相当于一对so-8 mosfet,但体积却减少了40%,最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(point-of-load,简称pol)设计。 ir台湾分公司总经理朱文义表示:“在12v计算机运算系统中,irf6610和irf6636芯片组最适用于可支持5v至1v以下输出电压的高密度15a pol转换器。以一个500khz pol转换器为例,若采用这款芯片组,便能在1.5v下提供15a输出电流,实现大于88%的效率。” irf6610的闸电荷(gate charge)低至10nc,可将开关损耗减至最低,实现最佳控制场效应管(fet)功能。irf6636则是一款多功能的directfet功率mosfet,其导通电阻为4.5mω,闸电荷低至18nc。它可耦合irf6610,成为专门针对15a应用的同步场效应管;又可配合irf
50%。 除此之外,设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差,此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃~125℃整个范围的20a系统,电流限值必须设置成平均值38a,这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准,电流限值可能更苛刻,设置点精度优于5%。这样,电流限值将降低到平均22a,可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低,而且能提供更精确的保护功能。 在考虑到这些要求后,选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a,rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω),可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流,并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低,开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合,高压侧mosfet保持导通的 时间不长,大部分损耗是开关损耗。 输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标,并使输入和输出纹波电流最小。对于高纹波电流,电感值小可能导致非常大的输出
除此之外,设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差,此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃~125℃整个范围的20a系统,电流限值必须设置成平均值38a,这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准,电流限值可能更苛刻,设置点精度优于5%。这样,电流限值将降低到平均22a,可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低,而且能提供更精确的保护功能。 在考虑到这些要求后,选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a,rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω),可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流,并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低,开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合,高压侧mosfet保持导通的 时间不长,大部分损耗是开关损耗。 输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标,并使输入和输出纹波电流最小。对于高纹波电流,电感值小可能导致