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一键发布采购上传BOM

mtb30p06vt4g
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mtb30p06vt4g替代型号

当前位置：维库电子市场网>IC>mtb30p06vt4g 更新时间:2026-05-24 11:24:23

mtb30p06vt4g供应商优质现货

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供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
mtb30p06vt4g
BOM配单
原厂代理，专业配单，买原装料，找香港晨兴安富利
上传BOM

深圳市百嘉顺实实业有限公司
MTB30P06VT4G
优势
46
ON/安森美
TO263/13+
只做原装-专注ROHM-不止现货数量

深圳市芯齐壹科技有限公司
MTB30P06VT4G
48000
ON/安森美
D2PAK/2022+
官网可查icscjh.com

深圳市奥利腾科技有限公司
MTB30P06VT4G
10000
ON
D2PAK 3 LEAD/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈

深圳市博伟奇电子有限公司
MTB30P06VT4G
258200
ON
SOT263/2021
-

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
MTB30P06VT4G
8913
ON/安森美
TO263/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市楚胜电子有限公司
MTB30P06VT4G
22358
ON
D2PAK 3 LEAD/22+
房间现货，价格优势。

深圳市粤东诚信电子有限公司
MTB30P06VT4G
12000
ON/安森美
TO263/24+
只做原装，BOM表配单

深圳市誉辉天成电子有限公司
MTB30P06VT4G
5000
ON/安森美
-/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市宏世佳电子科技有限公司
MTB30P06VT4G
3577
ON
TO2633/2025+
全新原装、公司现货热卖

深圳市金嘉锐电子有限公司
MTB30P06VT4G
16000
ON
D2PAK2/2026+
原装优势有货

深圳市诚研翔科技有限公司
MTB30P06VT4G
5000
ON/安森美
TO263/22+
原装现货，配单助手

深圳市能元时代电子有限公司
MTB30P06VT4G
95142
ON Semiconductor
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市威尔健半导体有限公司
MTB30P06VT4G
8500
ON/安森美
TO263/2025+
原装现货

深圳市硅宇电子有限公司
MTB30P06VT4G
15988
ON Semiconductor(安森美)
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市安富世纪电子有限公司
MTB30P06VT4G
6000
INFINEON/英飞凌
PTO263/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市科芯源微电子有限公司
MTB30P06VT4G
65286
ON
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样

深圳市硅诺电子科技有限公司
MTB30P06VT4G
57800
ON
TO263/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市君云达电子科技有限公司
MTB30P06VT4G
9063
0N
TO263/24+
原装正支持实单

深圳市威雅利发展有限公司
MTB30P06VT4G
7300
ONS
D2PAK/23+
原装现货

深圳市高捷芯城科技有限公司
MTB30P06VT4G
11025
ON(安森美)
NA//23+
现货供应，当天可交货免费送样，原厂技术支持

mtb30p06vt4gPDF下载地址

序号元器件名功能描述生产厂商资料下载

mtb30p06vt4g价格行情

更多>

历史最低报价：￥1.8000 历史最高报价：￥9.0000 历史平均报价：￥4.0375

型号厂家封装批号数量日期价格
MTB30P06VT4G ON D2PAK 09+ 250 2010/11/5 10:04:13 1.8000/pcs
MTB30P06VT4G ON(美國安森美) 08+（PB） D2-pak 30000 2010/11/5 9:30:14 2.3500/pcs
MTB30P06VT4G ON TO-263 04+ 800 2010/11/5 11:12:23 3.0000/pcs
MTB30P06VT4G ON D2PAK 3 LEAD 08+ 5000 2010/11/4 17:21:18 9.0000/pcs

mtb30p06vt4g中文资料

mtb30p06vt4g中文资料
相关应用

MTB30P06VT4G的技术参数
产品型号:mtb30p06vt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):67最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:p沟道封装/温度(℃):3d2pak/-65~175描述:30a,60v,d2pak,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥11.80 来源:xiangxueqin

MTB30P06VT4G的技术参数
产品型号:MTB30P06VT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67
最大漏极电流Id(on)(A):30
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175
描述:30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥11.80<...

mtb30p06vt4g替代型号

MTA001M MTA001 MT9V111 MT9V032 MT9V011 MT9T001 MT9P031 MT9P001 MT9M111 MT9M001C12STC

MTB50P03HDLT4G MTC20174 MTD2005 MTD2009 MTD2009J MTD2955E MTD5P06V MTD5P06VT4G MTD6N15T4G MTD6N20E

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