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  • MTB30P06VT4G的技术参数

    产品型号:mtb30p06vt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):67最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:p沟道封装/温度(℃):3d2pak/-65~175描述:30a,60v,d2pak,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥11.80 来源:xiangxueqin

  • MTB30P06VT4G的技术参数

    产品型号:MTB30P06VT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67
    最大漏极电流Id(on)(A):30
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175
    描述:30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥11.80<...

mtb30p06vt4g替代型号

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