MTD2955ET4
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MTD2955E
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MTD2955E
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MTD2955E
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TO252/23+
原装现货
MTD2955E
TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS R...
MOTOROLA
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MTD2955E
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MOTOROLA [Motorola, Inc]
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TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS
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)×id (1) 其最大的功耗是在vin(max)及vbat(min)时，即在扩流开始时(vbat=3v)，则上式可写成： pdmax=vin(max)-(3v+vf)×id (2) 若vin(max)=5.2v、在id=1a时，vf=0.4v，则pdmax=1.8w。选择的p-mosfet的最大允许功耗应大于计算出的最大功耗。 2 p-mosfet的散热 贴片式功率mosfet采用印制板的敷铜层来散热，即在设计印制板时要留出一定的散热面积。例如，采用dpak封装的mtd2955e在计算出pdmax=1.75w时，需11mm2散热面积;若pdmax=3w时，需26mm2散热面积。若采用双面敷铜板(在上下层做一些金属化孔相互连接，利用空气流通)，则其面积可减小。若散热不好，功率mosfet的温度上升，id的输出会随温度增加而上升。所以足够的散热是要重视的，最好是实验确定其合适散热面积，使id稳定。 这里还需要指出的是，不同封装的p-mosfet，在同样的最大功耗时，其散热面积是不同的。例如采用so-8封装的si99xxdy系列p-mosfet时，封装尺寸小、背面无金属
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