6622
TO2523/22+
现货、订货、调货
NTD3055L170T4G
90000
TO252/23+
一级代理现货,保证进口原装假一罚十价格合理
NTD3055L170
115
TO252/1202+
全新原装现货
NTD3055L170T4G
19142
TO252/20+
推荐替代型号,降低成本,可提供技术支持,根据要求
NTD3055L170T4G
74450
TO252/23+
只做大芯片/可代替进口/可订制
NTD3055L170T4G
6622
TO2523/22+
现货、订货、调货
NTD3055L170T4G
6622
TO2523/22+
现货、订货、调货
NTD3055L170T4G
66880
22/23+/TO252
-
NTD3055L170T4G
25000
TO252/22+
高端大芯片完美替代
NTD3055L170T4G
485
TO252/0401+
原装/假一赔十
NTD3055L170
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道,现货配单
NTD3055L170
115
TO252/1202+
全新原装现货
NTD3055L170
9900
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
只做原装,提供配单服务,QQ281559972
NTD3055L170
13564
TO252/1806+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
NTD3055L170
95604
TO252/22+
-
NTD3055L170
30000
TO252/2022+
进口原装现货供应,原装 假一罚十
NTD3055L170
154836
TO252/22+
终端可以免费供样,支持BOM配单
NTD3055L170
9000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
原厂渠道,现货配单
NTD3055L170
6500
TO252/21+
原装正品
产品型号:ntd3055l170源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):170最大漏极电流id(on)(a):9通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:9a,60v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥2.60 来源:xiangxueqin
产品型号:NTD3055L170T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170
最大漏极电流Id(on)(A):9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:9.0 A, 60 V功率MOSFET
价格/1片(套):¥2.60
产品型号:NTD3055L170
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170
最大漏极电流Id(on)(A):9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:9A,60V逻辑电平的功率MOSFET
价格/1片(套):¥2.60
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