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ntd32n06l中文资料

  • NTD32N06L的技术参数

    产品型号:ntd32n06l源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):23.700最大漏极电流id(on)(a):32通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:32a,60v功率mosfet价格/1片(套):￥6.00 来源:xiangxueqin

  • NTD32N06LT4G的技术参数

    产品型号:NTD32N06LT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):28
    最大漏极电流Id(on)(A):32
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:32 A, 60 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥5.80

  • NTD32N06L的技术参数

    产品型号:NTD32N06L
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23.700
    最大漏极电流Id(on)(A):32
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:32A,60V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥6.00


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ntd32n06l替代型号

NTD32N06G NTD30N02 NTD3055L170T4G NTD3055L170 NTD3055L104T4G NTD3055L104G NTD3055L104-1G NTD3055L104 NTD3055L NTD3055-150T4G

NTD32N06LT4G NTD32N06T4G NTD40N03R NTD40N03R-1G NTD40N03RT4G NTD4302 NTD4302T4G NTD4404N NTD4804N NTD4804NT4G

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