6622
TO2523/22+
现货、订货、调货
NTD3055L170T4G
90000
TO252/23+
一级代理现货,保证进口原装假一罚十价格合理
NTD3055L170T4G
6622
TO2523/22+
现货、订货、调货
NTD3055L170T4G
6622
TO2523/22+
现货、订货、调货
NTD3055L170T4G
74450
TO252/23+
只做大芯片/可代替进口/可订制
NTD3055L170T4G
66880
22/23+/TO252
-
NTD3055L170T4G
25000
TO252/22+
高端大芯片完美替代
NTD3055L170T4G
19142
TO252/20+
推荐替代型号,降低成本,可提供技术支持,根据要求
NTD3055L170T4G
485
TO252/0401+
原装/假一赔十
NTD3055L170T4G
65200
TO2523/21+
-
NTD3055L170T4G
28086
TO252/14+
只做原装,也只有原装
NTD3055L170T4G
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道,现货配单
NTD3055L170T4G
54500
TO252/23+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
NTD3055L170T4G
160000
QFN64/21+
原装现货秉承原装
NTD3055L170T4G
50000
MOSFET NCH 60V 9A DPAK/2020+
原装现货配单
NTD3055L170T4G
15000
2018+/-
-
NTD3055L170T4G
31500
TO252/24+
只做原装,提供一站式配单服务
NTD3055L170T4G
20000
TO252/22+
原装现货 支持实单
NTD3055L170T4G
6850
TO252/23+
只做原装
产品型号:ntd3055l170t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):170最大漏极电流id(on)(a):9通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:9.0 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥2.60 来源:xiangxueqin
产品型号:NTD3055L170T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170
最大漏极电流Id(on)(A):9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:9.0 A, 60 V功率MOSFET
价格/1片(套):¥2.60