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汽车安全需求催发车用传感器市场
电源模块集成在一颗芯片里，达到汽车级芯片的要求。” 转向精度对于是汽车设计一个重要的考量，英飞凌成功地将巨磁电阻(gmr)效应融入半导体标准cmos制造工艺。“在电动助力转向系统中，英飞凌基于集成型巨磁阻技术(igmr)的传感器芯片组和基于线性霍耳技术的传感器芯片可以完美实现转向角度和力矩的感知。”李世铭表示。英飞凌的传感器可异常精确地测量0°到360°的转向角度，包含两个gmr全桥、一个温度传感器、两个模数转换器、数个稳压器、滤波器以及在运行过程中能连续监控这些组件的内部机制。传感器芯片tle5010具备两个数字角度分量——正弦函数和余弦函数。通过spi接口连接传感器的8位微控制器利用这些分量计算实际的角度信号。透射式传感器也被称为断续式传感器，内含一个面对面安装的红外发射器和检波器，二者之间有一个小缝隙，当有类似编码轮这样的物体通过发射器和检波器之间的缝隙时，就会将光束遮挡，传感器就能探测到是否有物体存在。vishay的表面贴装透射式(断续式)光电传感器tcpt1300x01和tcut1300x01，达到了+145℃的结温等级，-40℃～+125℃的工作温度范围和潮湿敏感度等级1(
英飞凌采用获得诺贝尔奖的技术生产传感器
巨磁阻效应发现者荣膺本年度诺贝尔物理学奖。英飞凌现已开始利用这种效应测量汽车转向角度，成为全球首家开始批量生产集成巨磁阻传感器(igmr)的半导体供应商。英飞凌的传感器可异常精确地测量0°到360°的转向角度，包含两个gmr全桥、一个温度传感器、两个模数转换器、数个稳压器、滤波器以及在运行过程中能连续监控这些组件的内部机制。英飞凌传感器芯片tle5010具备两个数字角度分量——正弦函数和余弦函数。通过spi接口连接传感器的8位微控制器利用这些分量计算实际的角度信号。传感器与微控器之间采用数字方式传输数据，提高了抗干扰性，此外，集成的温度传感器还可起到补偿的作用，确保在-40°c至+150°c的温度范围内获得非常精确的转向角度。 gmr效应是由几纳米厚的多层金属膜的磁场产生的电阻变化导致的。简单来说，该金属膜由具备固定的稳定磁化方向(参考方向)的参考层和磁化方向由外部磁场决定(如指南针)的传感层构成。传感层和参考层通过仅为几个原子厚的铜层隔开，从而产生gmr效应。施加的磁场和传感器参考层之间的角度决定了金属膜的电阻变化。英飞凌成功地按照所需的精确度将这些层融入半导体标准cmos
汽车安全性设计需求催发车用传感器市场
电源模块集成在一颗芯片里，达到汽车级芯片的要求。” 转向精度对于是汽车设计一个重要的考量，英飞凌成功地将巨磁电阻(gmr)效应融入半导体标准cmos制造工艺。“在电动助力转向系统中，英飞凌基于集成型巨磁阻技术(igmr)的传感器芯片组和基于线性霍耳技术的传感器芯片可以完美实现转向角度和力矩的感知。”李世铭表示。英飞凌的传感器可异常精确地测量0°到360°的转向角度，包含两个gmr全桥、一个温度传感器、两个模数转换器、数个稳压器、滤波器以及在运行过程中能连续监控这些组件的内部机制。传感器芯片tle5010具备两个数字角度分量——正弦函数和余弦函数。通过spi接口连接传感器的8位微控制器利用这些分量计算实际的角度信号。透射式传感器也被称为断续式传感器，内含一个面对面安装的红外发射器和检波器，二者之间有一个小缝隙，当有类似编码轮这样的物体通过发射器和检波器之间的缝隙时，就会将光束遮挡，传感器就能探测到是否有物体存在。vishay的表面贴装透射式(断续式)光电传感器tcpt1300x01和tcut1300x01，达到了+145℃的结温等级，-40℃～+125℃的工作温度范围和潮湿敏感度等级1(

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