Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A~200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块
出处:awey 发布于:2008-08-29 09:30:55
日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术,而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF及 GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术,可实现 10μs 短路功能的额外优势。
其中GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块,这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz~60kHz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。
Vishay 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A~200A 的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 TIG 焊机应用中,这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中的 Vce(on) 。
上述全新 IGBT 系列器件均采用无铅 (Pb)化工艺,可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热阻。
器件规格表:
P/N |
速度 |
技术 |
电压 |
IC |
VCE(ON) 典型. |
GA100TS60SFPbF |
标准 |
第 4 代 PT |
600 V |
100 A |
1.39 V |
GA200HS60S1PbF |
标准 |
第 4 代 PT |
600 V |
200 A |
1.13 V |
GA200TS60UPbF |
超快速 |
第 4 代 PT |
600 V |
200 A |
1.74 V |
GA75TS120UPbF |
超快速 |
第 4 代 PT |
1200 V |
75 A |
2.5 V |
GA100TS120UPbF |
超快速 |
第 4 代 PT |
1200 V |
100 A |
2.25 V |
GB100TS60NPbF |
超快速 |
第 5 代 NPT |
600 V |
100 A |
2.6 V |
GB150TS60NPbF |
超快速 |
第 5 代 NPT |
600 V |
150 A |
2.64 V |
GB200TS60NPbF |
超快速 |
第 5 代 NPT |
600 V |
200 A |
2.6 V |
目前,这些新型 IGBT 模块的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 8 周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”,是世界上分立半导体(二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻、电容器、电感器、传感器及转换器)的制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了业界者。
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