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STD5NM50-1

更新时间:2025-05-11 08:47:57
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STD5NM50-1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STD5NM50-1外观图

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：500 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：7.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.8 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：IPAK
  • 封装：Tube
  • 下降时间：6 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3.5 S
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：100 W
  • 上升时间：8 ns
  • 工厂包装数量：75
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