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NTLJS3113PTAG

更新时间:2025-07-04 18:02:11

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ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN

封装:6-WDFN 裸露焊盘

NTLJS3113PTAG 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫欧 @ 3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1329pF @ 16V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-WDFN（2x2）
包装
带卷 (TR)

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