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当前位置：维库电子市场网>IC>ntmd3p03r2g 更新时间:2024-04-28 02:09:42

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  • NTMD3P03R2G的技术参数

    产品型号:ntmd3p03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85最大漏极电流id(on)(a):3.050通道极性:p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:-3.05 a, -30 v功率mosfet价格/1片(套):￥4.00 来源:xiangxueqin

  • NTMD3P03R2G的技术参数

    产品型号:NTMD3P03R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85
    最大漏极电流Id(on)(A):3.050
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:-3.05 A, -30 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥4.00
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ntmd3p03r2g替代型号

NTMD2C02R2SG NTMD2C02R2G NTLTD7900ZR2G NTLTD7900ZR2 NTLJS3113PT1G NTLJF4156NT1G NTLJF3117PT1G NTLJD4116NT1G NTLJD3115PT1G NTLJD3115P

NTMD4N03R2G NTMD6N02R2G NTMD6N03R2G NTMD6P02R2G NTMFS4108N NTMFS4108NT1G NTMFS4119NT1G NTMFS4120NT1G NTMFS4121NT1G NTMFS4122NT1G

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