Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
　　

　　　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000
　　碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势，包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会，包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。
　　此外，相比市面上其他业内的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型应用包括：
　　· 太阳能逆变器
　　· 开关模式和不间断电源
　　· 电机驱动器
　　· 高压DC/DC转换器
　　· 感应加热
　　“此产品可改善现有应用，并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。 相比同类IGBT，MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。 固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。”
　　新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装，具有以下关键优势：
　　· 专为高频、高效应用优化
　　· 极低栅极电荷和输出电容
　　· 低栅极电阻，适用于高频开关
　　供货情况
　　LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只装TO-247-3L管式封装。 您可通过各地的Littelfuse授权经销商索取样品。