英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
出处: EEWORLD 发布于:2018-08-27 16:54:53
950 V CoolMOS P7的特性包括出色的DPAK导通电阻,能实现更高密度的设计。此外,出色的VGS(th)和VGS(th)容差使该MOSFET器件易于驱动和设计。与英飞凌业界的P7系列其他成员类似的是,该器件集成齐纳二极管ESD保护机制。这可以提高装配生产量,从而降低成本,并减少与ESD有关的生产问题。
950 V CoolMOS P7能使效率提升达1%,并且MOSFET温度得以降低2 ?C到10 ?C,实现更高能效的设计。相比前几代CoolMOS系列而言,该器件还将开关损耗降低达58%。较之市场上的竞争技术,这方面的性能提升超过50%。
950 V CoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封装。这样就可以从通孔插装器件(THD)变为表面贴装器件(SMD)。
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