阈值电压（Threshold Voltage）是指在电子器件（如场效应晶体管或其他半导体器件）中，开启或关闭该器件所需的最小电压。当施加的电压超过这个阈值时，器件会开始导通，从而允许电流流过。 阈值电压的影响因素：...
我们介绍了了解电源补偿器设计基础知识所需的所有基础材料。在本文中，我们将讨论电源中常用的补偿器。我们将解释它们的电路、传递函数及其极点和零点。 在大多数情况下...
碳化硅元件 与 GaN 相比，SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术，SiC 增强...
其中单个逆变器由一组电池供电（图 1）。功率转换系统 (PCS) 由 MW 级双向 2 电平 (1000 V) 或 3 电平 (1500 V) 电压源逆变器组成。该系统封装在 20 英尺的集装箱中，被认...
时间：2024-11-01 阅读：639 关键词： ANPC 转换器
霍尔效应确定了电子和空穴的迁移率，霍尔效应包括使半导体处于均匀的静磁场中。为了测量载流子的有效质量，除了静磁场之外，还应用射频电磁场来推广该技术。 为了使实验...
漏极过电压应力 在开关转换期间，功率转换器中可能会出现漏极过电压。有多种因素会影响这些过冲的严重程度，包括正在切换的电流的转换率 (dI/dt) 以及与封装和外部连接...
分类：元器件应用 时间：2024-10-31 阅读：665 关键词：p-GaN HEMT功率器件
非零上升时间造成的损耗 图 1 显示了 E 类功率放大器的典型开关波形。 在 E 类放大器中切换电流和电压波形。 图 1.E 类放大器中的典型开关电流 （顶部） 和电压 ...
分类：模拟技术 时间：2024-10-31 阅读：379
如何对 VFD 进行外部故障排除 在对 VFD 进行故障排除时，请从维护清单中的基本预防措施开始。以下是组织良好的预防性维护计划所需遵循的必要步骤： 目视检查整个变频驱动系统：检查 VFD 附近是否有任何形式的...
1.结构 可关断晶闸管简称 GTO,它是晶闸管的一种,具有普通晶闸管的全部优点,如耐压髙、电流大等。同时，它又是全控型器件，即在控制极加正脉冲电流使其触发导通，加负脉...
工业生产中，经常会使用各种密闭容器存储和运输高温、有、易挥发、易燃、易爆、强腐蚀性等液体介质，对这些容器或管道的流是检测必须使用非接触测量，一般采用超声波传感器...
光纤传感器的基本工作原理是将来自光源的光经过光纤送人调制器，使待测参数与进入调制器的光相互作用后，导致光的光学性质(如光的强度、波长、频率、相位和偏振态等)发生变化，成为被调制的信号光，再经过光纤送人光...
1、引脚间电阻值 用MF-47型指针式万用表Rx1k挡测单总线数字温度传感器DSI8B20各引脚之间的电阻值见表 10-2。 用MF-47型指针式万用表Rx1k挡测单总线数字温度传感器DSI...
分类：元器件应用 时间：2024-10-29 阅读：470
一个真空荧光显示器能显示一位数字，若需要同时显示多位数字或字符，可使用多位真空荧光显示器。图13-25(a)所示为四位真空荧光显示器的结构示意图 图13-25中的真空荧光...
分类：光电显示/LED照明 时间：2024-10-28 阅读：1536 关键词：真空荧光显示器
单向导电性说明 下面通过分析图4-3中的两个电路来说明二极管的性质。在图4-3(a)电路中，当闭合开关S后，发现灯泡会发光，表明有电流流过二极管，二极管导通;而在图4-3(b...
集威电路型号很多，内部电路千变万化，故检测集成电路的好坏较为复杂。下面介绍一些常用的集成电路的好坏检测方法。 开路测量电阻法 开路测量电阻法是指在集成电路未...
稳健性和可靠性使 RS-485 在过去 40 年中成为工业主力。其最小 1.5V 的大差分信号摆幅以及在 -7V 至 +12V 的宽共模电压范围内的可靠运行，推动了 RS-485 的广泛部署。 RS-4...
分类：安防监控 时间：2024-10-25 阅读：709
LinkSwitch-TN2 采用专有的 BCDMOS 工艺制造，该工艺将高压功率 MOSFET开关与低功耗开关控制器相结合，能够支持多种拓扑，包括高侧和低侧降压、降压-升压和反激式。 MOSFET...
QSPICE 有许多 FET、MOSFET 和晶体管，但有时需要模拟在特定时间或特定条件下打开和关闭的简单开关。如图 1 所示，压控开关是一种普通开关，由两个引脚组成，另外还有两个...
这些方程依赖于负载网络的品质因数 ( Q ) 足够高，以确保开关频率下的正弦输出电流。否则，基本设计方程可能无法产生最佳性能所需的零电压和零导数开关条件。 Q的实际范...
