LED数码显示器由发光二极管（LED）构成“日”字型或“田”字型，发光二极管由磷砷化镓或碳化硅等材料制成，当给发光二极管的PN结两端施加正向电压时，电流加大，由于电子和空穴复合时释放出的热量而发光。 LED数...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：7160 关键词：LED数码显示器的工作原理CD4511LED显示器
为了便于操作人员了解自动化系统的运行工况，必要的显示设备是必不可少的。显示设备包括模拟显示仪表中的指示指针、数字设备中的数码显示器、计算机控制系统中的CRT显示终端以及大屏幕显示器等。电平显示已成为数字...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2967 关键词：数码显示器与电平显示器显示器
我们假定几个偏移距离，分别为0.25μm、1μm和4μm，并给出模拟结果，如图1所示。 图1 N+区偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响 由图1我们可以看出，当偏移量为0.25μm和1μm时载流子浓度变化不大，而当偏...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1485 关键词：偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响
N+和P+区的深度对载流子密度的影响可以模拟出来，但是如果P+区延伸较深的话就会深入到光场区，从而使光传输损耗加大。所以我们只考虑N+区变化的情况。考虑N+区深度分别为0.5um和1.2um两种情况下载流子密度的变化。掺...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1993 关键词：N+和P+区的深度对载流子密度的影响
首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件，这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我们在图1中假设了3.2pm，这个深度对光场的限制较强；用Silvaco进行模拟...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1715 关键词：脊宽和脊高对载流子密度的影响
在正向注入的情况下（即P+区相对于N+区接正偏压），电子和空穴将注入到本征区，形成电流。因为这就是一个p-l-n二极管结构，其导通电压约为0.7 V，所以正偏电压至少应大于0.7 V。在一定偏压下，载流子注入浓度与P+区...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1925 关键词：光小目位脊形光波导基模调制器
我们有下列几点需要考虑： ①脊宽和脊高的确定； ②N+和P+区深度的确定； ③N+区偏离内脊侧壁距离的确定。 我们现在要做的就是如何优化各参数以使得器件性能。具体就是考虑载流子注入到光场区的密度和光...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1597 关键词：结构调制器截面
对列阵器件的耐压特性做了测量，表为测量结果。造成个别器件耐压值偏低的原因是多方面的，多量子阱i区本底浓度偏高，会使pln结构中电场强度增大；材料生长的不够均匀（i区掺杂浓度不均匀）会使部分器件性能不完全一...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1466 关键词：SEED器件耐压特性测量SEED
反射型SEED光调制开关列阵，要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用。器件 工作时，光垂直于器件表面从P区入射，经过多量子阱i区时，一部分光被i区吸收，透射过i区的光被底部DBR高反 射...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2363 关键词：SEED器件微区光反射谱测量SEED
1． 1×20 SEED列阵 SEED智能像素集光探测器、光调制器和逻辑功能电路于一体，SEED器件是智能像素的。我们设计了适用于 倒装焊结构的1×20 SEED列阵，SEED器件面积为160 gm×60μm，电极焊盘面积为40μm×40μm，...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1609 关键词：SEED列阵设计与制备SEED
我们采用了MBE技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N＋GaAs作为N型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的AlAs／AlGaAsDBR，在DBR和多量子阱区之间生长N型和i型AlGaAs缓冲层...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1433 关键词：光反射谱测量光反射谱
一般常关型SEED器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射谱。要 获得高的对比度必须使低态反射率基本为零，这样就要利用ASFP腔的调制作用。非对称F－P腔的模式波长在100 kV/c...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1434 关键词：常关型量子阱结构设计常关型
对于常通型器件，要获得高态反射率大于50％，低态反射率接近为零的器件，量子阱数目需75～100对，为了减 小工作电压，对应较少的量子阱数目，在器件顶部增加DBR可增大器件顶部反射率，2对λ/4光学厚度的A10.1 GaO.9...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2384 关键词：常通型器件量子阱结构设计常通型器件
1．量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先应考虑使激子吸收峰处于...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2511 关键词：SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料SEED
为了在半导体中实现载流子注入，我们需要在器仵中建立电流通路。最简单的办法就是·利用pn结。因为pn结在P区和N区需要较高的掺杂浓度，所以如果将其设置在光功率聚集的地方就会对光场造成较大的损耗。通常我们采用如...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1460 关键词：顶注入对称相位调制器结构
对于时域模拟，位移电流需要进行计算和保存。位移电流的表达式为进行求解之前，需要对拟解决的问题进行定义。这一过程一般包含以下步骤：①定义待模拟器件的物理结构参数，并对其结构进行合理的网格划分；②对各个物...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1758 关键词：光小目位调制器位移电流方程
根据玻耳兹曼传输方程，载流子连续性方程中的电流密度可以通过漂移－扩散模型来表达。在这种情况下，电流密度用费米能级￠n和￠p表示为 式中，μn和μp分别为电子和空穴的迁移率；准费米能级同载流子浓度和电势通...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2035 关键词：光小目位调制器漂移-扩散模型
根据国内CMOS工艺和倒装焊接的技术水平及所研制的SEED列阵特点，本课题组设计出CMOS－SEED智能像素工艺实 现方案。首先将SEED器件和CMOS电路分别制作在GaAs/AlGaAs MQW材料和Si晶片上，在CMOS集成电路和SEED列阵芯 ...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2100 关键词：SEED智能像素制备工艺SEED智能像素
本文组借鉴国外并行光互连链路的经验，应用一维线阵结构的SEED智能像素，将4×4 SEED智能像素制作成1×20 （4×5，一组冗余）线阵结构，设计适合的耦合方式，利用硅片的选择腐蚀技术，制作硅基光纤定位夹持器，研 制...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1785 关键词：SEED智能像素总体设计SEED智能像素
SEED器件利用超晶格量子阱二维自由激子吸收在外电场作用下的非线性变化，通过外部反馈元件的正反馈作用可实现光双稳功能；通过多量子阱电吸收及电色散效应，可对光强进行调制，从而实现光调制开关功能。量子阱的室温...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1384 关键词：SEED智能像素器件的工作原理SEED智能像素
