智能像素是一种对输入光信息具有自主处理能力，经内部光子回路或电子电路处理后，再以光波形式输出信息的光子集成或光电子集成智能单元。为增强对光信号的处理能力，这种智能集成单元通常制作成垂直接收和发射光的阵...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1369 关键词：微光电子集成智能像素概述微光电子
F-P结构[18]：如图1所示。通过F－P腔形成选频结构｀透射峰值频率相应发生变化，从而实现对所用光波长的强度调制。容差小。 图1 F-P结构调制器示意图 欢迎转载，信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2090 关键词：硅基电光F-P结构调制器示意图
Mach-Zehender结构：通过M－Z结构，改变其中一臂或两臂折射率，使其产生折射率差，进行相位调制并产生干涉实现强度调制。特点是制作简单，但器件尺寸偏大。M－Z干涉仪结构如图1所示。 图1 M－Z干涉仪结构 欢...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2068 关键词：硅基电光调制器Mach-Zehender结构
从电学结构分，可分为 （1）PIN结构：通过PIN［15］结构的正偏或反偏来实现载流子的注入或耗尽。其特点是制作工艺较简单，集成度差，响应频率较低，从几百kHz到几MHz。如果截面做得小，则调制频率可达几十兆赫兹...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：3281 关键词：硅基电光调制器分类
对于SOl波导来说，CVD技术一般用来淀积其上包层，通常为二氧化硅或氮化硅。对于调制器等有源器件来说，这一层还起着隔离金属电极减小电极对波导造成损耗的作用，所以厚度一定要选择合适，不能太薄，如果薄了就不能起...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1314 关键词：波导SOl化学气相沉积工艺特点
刻蚀即通过物理或化学的方法去除非光刻胶或硬掩膜覆盖区域的材料。通常有两种方法，分别为干法刻蚀和湿法刻蚀，它们各有优缺点。但对于工艺灵活性、刻蚀精确度和可重复性等方面来说，干法刻蚀居主导地位。对于SOl波...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1234 关键词：波导SOl刻蚀工艺特点
脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（CriticalDimension）目前已经减小至65nm，对于...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1414 关键词：波导SOl光刻工艺特点
对于大截面的SOl光波导来说，顶层硅的厚度不一定能满足要求。这时候就需要外延生长一定厚度的硅。一般的外延技术采用化学气相沉积CVD（ChemicalVaporDeposition）来实现。CVD是一种利用气体混合物发生反应，从而在硅...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1331 关键词：波导SOl硅外延生长工艺特点
将SIMOX和BESOI的步骤结合起来就形成了智能切割。将注入剂量为1017/cm2的氢离子注入到热氧化的基片中，形成高斯分布的轮廓。基片表面到氢离子峰值浓度的距离取决于注入能量，通常在几百纳米到几微米之间；而在氢离子...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1278 关键词：基片的SOl智能切割
将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就发展起来了。 BESQI的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）化学键合两个氧化基片；（3）减...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1510 关键词：基片的SOl背部刻蚀和键合
氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下，对于大批量生产很有意义。虽然其工艺概念较简单，但是对于器件级的SOl来说，其工艺冗余度却比较低。我们通过注入剂量，即每平方厘米注入到基片中的离...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1405 关键词：基片的SOl氧注入分离法
绝大部分的硅光子器件选择SOl材料来做平台。而我们通常用的SOl材料选择硅的良好氧化物二氧化硅来做掩埋绝缘层，即硅在二氧化硅上。顶层硅和掩埋二氧化硅的厚度一般为微米量级，随制作工艺的不同而不同。二氧化硅一般...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1415 关键词：SOl基片的制备
调制即是通过施加电信号改变光波导中光的相位、强度和偏振等特征，以达到用光来传输信号的目的。硅的调制比较普遍的是利用载流子的注入或耗尽，而不是利用通常的电场效应，下面介绍几种调制机制。 1.普克尔效应 ...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2170 关键词：硅中的光调制机制
直光波导中的辐射损耗可以忽略，弯曲光波导和光波导制作过程中引入的光波导结构畸变是辐射损耗的主要来源。弯曲损耗随曲率半径的减小而增大，尤其是小截面光波导，此时光的限制因子较小，更容易引起弯曲损耗。对于SO...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1912 关键词：直光波导中的辐射损耗
半导体材料的吸收主要来源于带边吸收、带间吸收和自由载流子吸收。当光子能量大于禁带宽度时，价带中的电子就会被激发到导带。所以传输光的波长要大于光波导材料吸收边的波长，即导波的波长要大于1.1 gm。自由载流子...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2354 关键词：半导体材料的吸收损耗
光波导的散射分为两种类型：体散射和界面散射。体散射是由于光波导体材料的缺陷造成的，如空洞、杂质原子和晶格缺陷等。界面散射是由于光波导芯层和包层界面的粗糙度引起的。体散射在硅材料中一般可以忽略。但如离子...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：3311 关键词：硅光波导中损耗的分类
目前为止，我们认为折射率是实数，但是一般情况下，它是一个复数。复折射率定义为 因此，有一项为exp（－kon1z），这一项经常被写为exp（- a），a称为损耗系数， 之所以包含在里面，是因为a通常为强度损耗...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：4105 关键词：光波导的折射率及损耗系数
SOl基片的构成如图1所示，顶层硅的厚度约为几微米，做为光波导的芯层材料；掩埋氧化层的厚度一般为0.5 gm，作为光波导的下包层，防止光场从衬底泄漏掉，所以只要氧化层的厚度大于光模的消逝场的尺寸，光就可以被有效...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3813 关键词：有效折射率法进行脊形光波导结构
集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说，硅材料和SOl（硅在绝缘体上）在基片处理成本，封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实现。目前集成光学的...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2165 关键词：集成光电子学SOI光波导
平板光波导的利用面非常有限，因为它只能导引光波沿着一个固定的方向传播，这无疑限制了光波导的应用；实际最长用的光波导结构为三维光波导，它能自由地将光波导引到任意想要的方向。目前在OEIC中最常用的光波导结构...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：8429 关键词：光波导基本结构
