在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏压下的响应度，在没有偏压下响应度为14.8 mA/W，相应...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：7137 关键词：光电探测器响应度随波长变化曲线探测器
为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4896 关键词：GaN PIN光电探测器结构探测器
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4039 关键词：GaN基肖特基结构紫外光电探测器探测器
Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处增益达6×103。在5 V的偏压下响应度可达2000 A/W。...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：1997 关键词：采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器探测器
MSM是一种平面结构，结构简单，易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上，接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构，相互错开的电极各自加正负电压使电极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3898 关键词：光电MSM探测器探测器
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧穿电流变得相当可观，严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流，人们设计了一种将吸收区和倍增区分开（Separate...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：6282 关键词：光电SAM-APD探测器探测器
在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3793 关键词：雪崩光电探测器结构和能带探测器
由于51的电子空穴离化率之比很高，用它制作的的雪崩二极管噪声低，暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟，所以51材料被广泛应用于APD结构中，而GaAs则较少使用。图1 所示是一个GaAs/Al.45Ga0.5...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：5860 关键词：光电探测器多量子阱MQW结构APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率，但是它无法将光生载流子放大，因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光，我们希望光电探测器具有内部增益，即少量的光生载流子在倍...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4997 关键词：光电APD探测器探测器
四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配，并且其禁带宽度所对应的光谱吸收波...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：8620 关键词：光电探测器结构示意图探测器
尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350～500＇C温度下生长在GaSb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂P型，较高的温度用来生长N型，′通过用掺碲和掺锗的方法来...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：6506 关键词：光电PIN探测器探测器
图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV）...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2705 关键词：光电探测器异质结探测器
如图1（a）所示为PIN光电探测器基本结构，N型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2767 关键词：光电探测器基本结构探测器
半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步：光子吸收产生电子ˉ空穴对，在适当内电场作用下载流子的漂移，欧姆接触收集载流子。半...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3772 关键词：基于III-V族半导体材料的光电探测器探测器
光电探测器的主要噪声源有暗电流噪声、散粒噪声和热噪声。对理想的光电探测器，在无光照的时候应该没有电流，然而实际上仍然存在有较小的电流。它主要是由耗尽层中载流子的产生－复合电流和耗尽层边界的少子扩散电流...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：5166 关键词：光电噪声和探测度POWER
光电探测器正常工作所能探测到入射光信号的调制频率是有限的，调制频率高于光电探测器频率响应的入射光信号将不能被正确探测出。频率响应是光电探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，表征了光电探测器...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：5011 关键词：光电探测器频率响应光电
量子效率可以分为内量子效率ηi和外量子效率ηo ,它是半导体光电探测器最重要的指标。内量子效率定义为吸收一个入射光子能够产生的电子-空穴对个数，即 由于ηi与材料的吸收系数α，以及吸收层的厚度W相关，因而...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：14693 关键词：量子效率和响应度量子
数字电路的输出可以用字段形式、点矩阵形式或整字形式进行显示，显示器件主要有发光二极管（LED）和液晶显示器（LCD）等。 （1）LED的工作原理和驱动电路 LED是一种售价比较低的显示器件，如图1所示。它利用场致...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：7816 关键词：数字显示原理数字显示
表征光电探测器性能参数主要有：量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。其中量子效率和响应度表征了光电探测器将入射光转换成光电流本领的大小，频率响应表征了光电探测器工作速度的快慢，噪声和探测度表征了...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2820 关键词：光电探测器性能的参数
在远离本征区所产生的光生载流子由于没有外电场作用，要通过扩散才能到达外电极，而扩散时间通常比漂移时间长得多，因此严重限制了光电探测器工作速率，所以有必要详细讨论载流子扩散过程。如图1所示的pn结二极管，...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：9116 关键词：光生载流子的扩散
