对列阵器件的耐压特性做了测量，表为测量结果。造成个别器件耐压值偏低的原因是多方面的，多量子阱i区本底浓度偏高，会使pln结构中电场强度增大；材料生长的不够均匀（i区掺杂浓度不均匀）会使部分器件性能不完全一...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1551 关键词：SEED器件耐压特性测量SEED
反射型SEED光调制开关列阵，要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用。器件 工作时，光垂直于器件表面从P区入射，经过多量子阱i区时，一部分光被i区吸收，透射过i区的光被底部DBR高反 射...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2489 关键词：SEED器件微区光反射谱测量SEED
1． 1×20 SEED列阵 SEED智能像素集光探测器、光调制器和逻辑功能电路于一体，SEED器件是智能像素的。我们设计了适用于 倒装焊结构的1×20 SEED列阵，SEED器件面积为160 gm×60μm，电极焊盘面积为40μm×40μm，...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1764 关键词：SEED列阵设计与制备SEED
我们采用了MBE技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N＋GaAs作为N型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的AlAs／AlGaAsDBR，在DBR和多量子阱区之间生长N型和i型AlGaAs缓冲层...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1516 关键词：光反射谱测量光反射谱
一般常关型SEED器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射谱。要 获得高的对比度必须使低态反射率基本为零，这样就要利用ASFP腔的调制作用。非对称F－P腔的模式波长在100 kV/c...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1538 关键词：常关型量子阱结构设计常关型
对于常通型器件，要获得高态反射率大于50％，低态反射率接近为零的器件，量子阱数目需75～100对，为了减 小工作电压，对应较少的量子阱数目，在器件顶部增加DBR可增大器件顶部反射率，2对λ/4光学厚度的A10.1 GaO.9...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2533 关键词：常通型器件量子阱结构设计常通型器件
1．量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先应考虑使激子吸收峰处于...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2613 关键词：SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料SEED
为了在半导体中实现载流子注入，我们需要在器仵中建立电流通路。最简单的办法就是·利用pn结。因为pn结在P区和N区需要较高的掺杂浓度，所以如果将其设置在光功率聚集的地方就会对光场造成较大的损耗。通常我们采用如...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1563 关键词：顶注入对称相位调制器结构
对于时域模拟，位移电流需要进行计算和保存。位移电流的表达式为进行求解之前，需要对拟解决的问题进行定义。这一过程一般包含以下步骤：①定义待模拟器件的物理结构参数，并对其结构进行合理的网格划分；②对各个物...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1866 关键词：光小目位调制器位移电流方程
根据玻耳兹曼传输方程，载流子连续性方程中的电流密度可以通过漂移－扩散模型来表达。在这种情况下，电流密度用费米能级￠n和￠p表示为 式中，μn和μp分别为电子和空穴的迁移率；准费米能级同载流子浓度和电势通...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2130 关键词：光小目位调制器漂移-扩散模型
根据国内CMOS工艺和倒装焊接的技术水平及所研制的SEED列阵特点，本课题组设计出CMOS－SEED智能像素工艺实 现方案。首先将SEED器件和CMOS电路分别制作在GaAs/AlGaAs MQW材料和Si晶片上，在CMOS集成电路和SEED列阵芯 ...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：2225 关键词：SEED智能像素制备工艺SEED智能像素
本文组借鉴国外并行光互连链路的经验，应用一维线阵结构的SEED智能像素，将4×4 SEED智能像素制作成1×20 （4×5，一组冗余）线阵结构，设计适合的耦合方式，利用硅片的选择腐蚀技术，制作硅基光纤定位夹持器，研 制...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1858 关键词：SEED智能像素总体设计SEED智能像素
SEED器件利用超晶格量子阱二维自由激子吸收在外电场作用下的非线性变化，通过外部反馈元件的正反馈作用可实现光双稳功能；通过多量子阱电吸收及电色散效应，可对光强进行调制，从而实现光调制开关功能。量子阱的室温...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1505 关键词：SEED智能像素器件的工作原理SEED智能像素
随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上均匀生 长原子量级的超薄层田，通过两种半导体材料的交替生长，形成一系列周期性的势垒和势阱，这就是所谓的超晶 格量...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1611 关键词：SEED智能像素器件的物理基础SEED智能像素
由于微光电子集成智能像素集光子集成器件和超大规模集成电路于一体，同时具有光信号探测、调制、变换、 处理、发射、传输等功能和电信号存储、放大、逻辑、智能控制等功能。因此微光电子集成智能像素可广泛应用 于光...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1743 关键词：智能像素的应用智能像素
件建模的目的就是在一定的限定条件下，通过模拟优化，使器件性能满足我们的要求。因为器件的特性不可能全部得到优化，它们之间存在相互制约的关系，所以在进行建模之前，我们首先要根据实际需要，确定设计目标，比如...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1814 关键词：器件建模光小目位调制器
垂直腔面发射激光器（Vertical－CavitySurface－EmittingLaser，VCSEL）及其阵列是一种新型的半导体激光器，是光子学器件在集成化上的一项重大突破，它可以充分发挥光子的平行操作能力，在光互连、光通信、图像信号...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1924 关键词：VCSEL智能像素VCSEL
对于硅来说，最有效的电光调制方法是利用自由载流子的注入和耗尽。利用这个效应我们可以做成光强度调制器［15～16］、相位调制器［11］等。其中，相位调制器是比较有效的一种方法，因为它可以用较小的折射率改变来调...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1493 关键词：光小目位调制器
半导体多量子阱自电光效应器件是20世纪80年代后期迅速发展起来的一种新颖的光电混合型光逻辑开关器件。SEED是美国贝尔实验室对自电光效应器件（SelfElectro－OpticEffectDevice）的简称囫，其他一些国家称这种器件为...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1793 关键词：SEED智能像素SEED
智能像素是将高密度的光子集成器件与大规模集成电路进行集成，构成具有实用价值的光电子集成系统，其中光子集成器件是智能像素的关键，它是根据系统功能的要求，将一种类型的光子器件重复分布成矩阵形阵列，大规模集...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-03 阅读：1330 关键词：智能像素对光子集成器件的要求光子集成器件
