1200

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块,打造充电更快的车载充电器?

早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机,行驶里程较为有限。为了延长行驶里程,电动汽车制造商增加了车辆电池的能量容量。然而,更大的电池意味着更长的充电时间。要能快速高效地为电动车...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2023-06-14 阅读:417

采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机

逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。在焊机行业,诸如提高效率、降低成本和增强便携性(即,缩小尺寸并减轻重量)等趋势一直是促进持续发展的...

分类:工业电子 时间:2023-06-09 阅读:700

1200 V SiC MOSFET 的体二极管可靠性研究(SiC MOSFET 的体二极管测试)

在 PCT 期间,当 DUT 开启时,由于电流从漏极流向源极,DUT 温度会升高(图 1a)。当 DUT 关闭时,通过从源极到漏极的感测电流测量体二极管压降。通过应用图 1b 中所示的 V...

分类:元器件应用 时间:2022-12-02 阅读:201 关键词:二极管

谈S7-1200 PLC系统接地规范

1、S7-1200 PLC系统的接地总原则中S7-1200 PLC属于中小型的PLC,在接地过程中,应注意以下原则:◆ 将应用设备接地的最佳方式是确保S7-1200 PLC和相关设备的所有公共端和接地连接在同一个点接地。◆ 该点应该直接连...

分类:EDA/PLD/PLC 时间:2022-11-01 阅读:1768

UnitedSiC(现名Qorvo)推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

Qorvo推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工...

分类:元器件应用 时间:2022-05-12 阅读:393 关键词:碳化硅

英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增强特性进一步提高系统能效

英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC?技术,即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅(SiC)芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列,以及采用基于.XT互连技术的分立式封装,具有非常广泛的产品组合。M1...

分类:元器件应用 时间:2022-05-11 阅读:322 关键词:芯片

儒卓力提供英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V电源模块

英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC?发射极开路智能电源模块,采用36x23D DIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围(高达80 Hz),提供了功能齐全的紧凑型逆变器解决方案。这个产...

分类:元器件应用 时间:2021-08-30 阅读:575 关键词:IPM电源电源模块

采用400MHz主频的Au1200核DDR内存实现多媒体导航系统的设计方案

引言  多媒体导航系统集成了现今深受欢迎的PMP和GPS的双重功能,可以提供音视频播放、GPS智能路径指引、电子文档浏览、图片浏览等一系列服务。在多媒体播放方面,支持MPE...

时间:2020-07-27 阅读:762

ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器降低导通和开关损耗

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器。Vishay 30 A和60 A整流器导通和开关损耗在同类器件中达到最佳水平,提高高频逆...

分类:元器件应用 时间:2019-05-21 阅读:1035 关键词:开关整流器

ROHM开发出满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。该系列产品非常适用于电动压缩机※2)的逆变器电路和PTC加热器※3)的开关电路,而且...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2019-05-13 阅读:906 关键词:IGBTROHM车载

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

电路保护领域的企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse...

分类:元器件应用 时间:2018-03-16 阅读:1234 关键词:LittelfuseMOSFEMOSFET电阻

IR发布全新第八代1200V IGBT平台

功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用...

分类:其它 时间:2014-11-19 阅读:1369 关键词:IGBT

ST打造最灵活的宽带射频合成器STW81200

随着越来越多的无线标准和频带支持越来越多的应用,意法半导体开始支持市场对高性能和高集成度的需求。意法半导体新推出的STW81200射频合成器采用BiCMOS (SiGe) 制造技术...

分类:其它 时间:2014-10-08 阅读:1093 关键词:射频

RCS-978与PST-1200系列主变保护的差异化分析

摘要:分析RCS-978与PST-1200系列保护软件算法的区别;不同补偿方法对励磁涌流制动的影响及优缺点分析;针对RCS-978与PST-1200系列保护的差异提出二者试验方法的区别。  ...

分类:电源技术 时间:2013-11-06 阅读:1450

IR全新1200V IGBT为电机驱动应用提升功率密度和效率

国际整流器公司 (IR) 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了优化。  全新器件采用IR的场截...

分类:工业电子 时间:2013-07-08 阅读:2884 关键词:IGBT电机驱动

新型1200V IGBT模块的高频开关应用

1 引言 如今节能的重要性日益显著,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求...

分类:工业电子 时间:2011-09-01 阅读:4776 关键词:IGBT开关

1200W正弦波逆变器图解分析

正弦波逆变器原理图,有方波的输出和正弦波输出的区别.方波输出的逆变器效率高,但对于都是为正弦波电源设计的电器来说,使用总是不放心,虽然可以试用于许多电器,但部分电器就不适用,或用起来电器的指标会变化.正弦波输...

分类:电源技术 时间:2011-08-27 阅读:4070 关键词:逆变器

解析国外高端1200W工频逆变器

工频逆变器是一种DC/AC的转换器,采用高频脉宽调制技术和微电脑控制技术设计,将电池组的直流电源转化成输出电压和频率稳定的交流电源。而具有较高的转换效率(在满负载状态下可高达80%以上)。同时还有很强的非线性...

分类:电源技术 时间:2011-08-27 阅读:2218 关键词:逆变器

关于12000kW热电机组的控制方案

1、 循环流化床锅炉特点   循环流化床锅炉(Circulating Fluidized Bed Boiler)(以下简称CFB)是一种高效率、低污染、清洁燃烧锅炉,其主要特点是通过炉内强烈的喘流运...

分类:工业电子 时间:2011-07-26 阅读:4188 关键词:电机

基于开源微处理器OR1200的嵌入式SoC设计

RISC是一种执行较少类型计算机指令的微处理器,起源于80 年代的MIPS主机(即RISC 机),RISC机中采用的微处理器统称RISC处理器。这样一来,它能够以更快的速度执行操作(每...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-07-20 阅读:8542 关键词:嵌入式

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