Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧...
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择Z适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程师们Z常用的器件之一了，但你知道吗？...
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下， 比如转换器在非连续导电模式（DCM）下工作时，若选择Rds（on）较小的MOSF...
分类：通信与网络 时间：2020-01-13 阅读：615 关键词：MOSFET器件,转换器
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源...
分类：元器件应用 时间：2019-01-29 阅读：15572 关键词：Vishay推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件MOSFET器件
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源...
分类：元器件应用 时间：2019-01-28 阅读：721 关键词：Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平MOSFET器件
英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔...
分类：元器件应用 时间：2018-08-27 阅读：970 关键词：英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件MOSFET器件
导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。...
分类：其它 时间：2014-04-03 阅读：1977 关键词：基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案CPLD技术 MOSFET器件 保护电路
基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
摘要：绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SD...
分类：元器件应用 时间：2014-01-22 阅读：3654 关键词：基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究绝缘体上硅电子设备体硅材料体硅器件
高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干，用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对这些转换器的需求，英飞凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础，可大幅度降低...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2011-07-10 阅读：3172 关键词：使用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。 ...
分类：光电显示/LED照明 时间：2009-08-12 阅读：2720 关键词：Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件LCDMOSFET器件
飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度
日前，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它DC-DC设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mmx3mmMLP模块中
分类：元器件应用 时间：2009-07-09 阅读：2608 关键词：飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度FDMS9620SFDMS9600SMOSFET器件
瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现业界最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。
分类：物联网技术 时间：2008-06-06 阅读：2843 关键词：瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件3.6V2008TECHNOLOGYMOSFET20KV
飞兆推出11种面向电机控制应用的新型30/40V MOSFET器件
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 扩充其AEC-Q101的30V和40V MOSFET产品系列，推出11种新型器件。这些低压PowerTrench®MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和...
分类：其它 时间：2007-12-22 阅读：1802 关键词：飞兆推出11种面向电机控制应用的新型30/40V MOSFET器件
飞兆半导体推出用于超纤小型镇流器的DPAK SuperFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)开发出新的低导通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK(TO-252)器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的SuperFET器件的
分类：电源技术 时间：2007-12-14 阅读：1414 关键词：飞兆半导体推出用于超纤小型镇流器的DPAK SuperFET器件TO-220TO-252TO-263
IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af，节省80％设计空间
国际整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电(PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换...
分类：元器件应用 时间：2007-12-12 阅读：1433 关键词：IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af，节省80％设计空间IRF4000SOT-223
飞兆半导体推出新低导通阻抗600V SUPERFET MOSFET器件系列
飞兆半导体公司开发出新的低导通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK(TO-252)器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型平坦化MOSFET
分类：元器件应用 时间：2007-12-11 阅读：1445 关键词：飞兆半导体推出新低导通阻抗600V SUPERFET MOSFET器件系列
