Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件, 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
代表着下一代电源系统未来的,氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码:TGAN)近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧...
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下, 比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选择Rds(on)较小的MOSF...
英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、笔...
基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
摘要:绝缘体上硅(Silicon On Insulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SD...
高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干,用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对这些转换器的需求,英飞凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础,可大幅度降低...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-07-10 阅读:2864 关键词:MOSFEMOSFETMOSFET器件嵌入式
为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求,飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出采用1×1.5×0.4mmWL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P。该器件采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerT
飞兆半导体推出用于超纤小型镇流器的DPAK SuperFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)开发出新的低导通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列,专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK(TO-252)器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的SuperFET器件的
IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af,节省80%设计空间
国际整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准,例如以太网交换...