一、核心导通原理P沟道MOS管（PMOS）的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS 低于阈值电压 VGS(th)VGS(th)（典型值-0.5V至-5V）时，栅极下方的P型半导体中会感应出空穴导电通道，实现源...
解析 Littelfuse SMFA：非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护
在当今的电源和电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步，开关损耗也在持续降低。然而，随着开关速度的不断提高，设计人...
MOS 管损耗理论公式的详细推导与 LTspice 仿真实测
在电子电路设计中，准确计算 MOS 管的损耗对于电路的性能和稳定性至关重要。本文将深入探讨 MOS 管损耗的理论计算公式推导，并通过 LTspice 进行仿真验证，旨在帮助硬件工程师在原理图设计阶段更好地评估散热问题和...
在电子电路领域，MOS 管（MOSFET）和三极管（BJT）宛如两颗璀璨的明星，是两种极为常用的器件，它们各自拥有独特的特性与应用场景。二者在工作原理、特性以及应用场景等方面存在着显著的差异。 一、MOS 管与三极...
在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...
分类：基础电子 时间：2025-06-19 阅读：149 关键词： SiC MOSFET
在电子电路领域，P 沟道 MOS 管是一种重要的电子元件。理解 P 沟道 MOS 管的工作原理，对于电子工程师和爱好者来说至关重要。下面，我们将以一种形象且深入的方式，为大家详细解析 P 沟道 MOS 管的工作原理。形象比...
分类：基础电子 时间：2025-06-19 阅读：79 关键词：P 沟道 MOS 管
分类：电源技术 时间：2025-06-09 阅读：0
CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor, CIS）知识介绍CMOS图像传感器是一种基于 互补金属氧化物半导体（CMOS） 技术的图像传感芯片，用于将光学图像转换为电信号，广泛应用于数码相机、智能手机、安防监控、医疗影像等...
在低压差线性稳压器（LDO）的设计中，MOS 管扮演着至关重要的角色，它作为调整元件，通过改变自身的导通电阻来维持输出电压的稳定。其工作原理是：当输出电压发生变化时，...
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
分类：基础电子 时间：2025-05-30 阅读：243 关键词：SiC MOSFET
在当今科技飞速发展的时代，人工智能（AI）应用呈现出蓬勃发展的态势，其对高性能内存，特别是高带宽内存（HBM）的需求也在持续增长。这一趋势使得内存芯片的设计变得愈发...
分类：电子测量 时间：2025-05-29 阅读：191 关键词： PhotoMOS 开关
在电路设计领域，MOS 管是一种极为常见且关键的电子元件。按照驱动方式进行分类，MOS 管主要分为 N - MOS 管和 P - MOS 管两种类型。虽然 MOS 管的驱动方式与三极管有一定...
在嵌入式数模电领域，MOS 管是一种至关重要的电子元件，广泛应用于各种电路中。本文将为大家全面汇总 MOS 管的经典知识，帮助大家快速了解和掌握 MOS 管的相关特性。快速了解 MOS 管快速辨认 NMOS 和 PMOS通过观察箭...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2025-05-26 阅读：218 关键词：MOS 管
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOS...
ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”：超低导通电阻助力快速充电革新
在当今电子设备飞速发展的时代，快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求，全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）于 2025 年 5 月 15 日宣布，推出一款具有...
全面剖析 LDO 原理，对比 PMOS LDO 和 NMOS LDO 特性差异
在电子电路设计中，电压稳定是保障设备正常运行的关键因素之一。LDO（低压差线性稳压器）作为一种重要的电源管理元件，在众多领域发挥着不可或缺的作用。本文将深入探讨 LD...
在现代电子电路设计中，MOS 管是一种极为重要的电子元件，特别是在 DCDC（直流 - 直流）电路中，MOS 管通常作为开关管使用。在几 M 的频率下，MOS 管需要不停的进行开关动...
增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VG...
提供精确电压和泄漏电流平衡的新MOSFET已准备好服务于2.8 V至3.3 V. Ald910030的超级电容器。几乎没有电源来平衡细胞平衡，并促进了在串联串联堆栈中为每个超级电容器的电...
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失，这可能会主导P/N二极管损失，尤其是在较高的温度，快速转换过渡和高流动应用下。除了...
