CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升...
在功率电子电路的实际应用中，常常会遇到这样一种令人困扰的情况，当体二极管已经处于反偏状态时，MOS 管开通瞬间的电流却突然抬高。以半桥电路为例，通常半桥中的两只 MOS...
时间：2026-09-02 阅读：344 关键词：二极管
在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著...
TTL（Transistor - Transistor Logic）是由双极型晶体管 BJT（三极管）集成逻辑构成芯片或者器件。TTL 逻辑门判断输入信号为高电平 (1) 或低电平 (0) 的关键阈值电压是 2.0V。当输入电压 > 2.0V 时通常被认为是高...
在电子设计领域中，三极管和 MOS 管是极为常见且关键的元器件，而下拉电阻在它们的应用中起着不可忽视的重要作用。下面将为大家深度剖析三极管和 MOS 管下拉电阻的作用。 关于三极管 三极管是一种电流型驱动元...
它为何能瞬间从休眠中恢复？电脑的 CPU 又为何能以每秒数十亿次的速度处理信息？在这背后，有一位默默奉献且无处不在的 “幕后英雄”——MOSFET （金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）。它宛如电子世界里的微型智...
超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 ...
在修理电视机及各类电器设备的过程中，常常会碰到各种元器件损坏的情况，MOS 管便是其中较为常见的一种。对于维修人员而言，如何利用常用的万用表来准确判断 MOS 管的好坏...
在半导体器件的世界里，MOS 管作为核心组件之一，其性能的稳定性至关重要。在 WAT 和可靠性评估中，MOS 管的击穿电压 Vb 是一项不容忽视的关键电性参数。虽然它不像 Idsat...
在现代电子电路设计领域，MOS 管堪称最为常用的器件之一，其选型的恰当与否，直接关系到电路的性能表现与可靠性程度。为产品精准匹配一款合适的 MOS 管，能够确保设备实现最高效、最稳定且持久的应用效果。接下来，...
刚接触 MOS 管的朋友，常常会被 “增强型”“耗尽型” 这两个专业术语搞得晕头转向。同样都是用于控制电流，为何还要分为两种不同的类型呢？其实，我们完全不必死记硬背相关概念。今天，就让我们从日常的生活场景切...
在电子领域，MOS 管是一种常见且重要的半导体器件，大家通常见到的 MOS 管多为三个引脚，分别是栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。然而，有一种 TO - 247 - 4 封装的 MOS 管却多出了一个引脚，这多出来的第四个引脚...
功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有...
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 ...
分类：基础电子 时间：2026-07-28 阅读：218 关键词： SiC MOSFET
功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中，它展现出了显著的优势，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体...
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱...
分类：电子测量 时间：2026-07-27 阅读：257 关键词：IGBT SiC MOSFET
在电子电路设计中，三极管和 MOS 管是极为重要的基础元件，正确使用它们对于电路的稳定运行至关重要。 三极管属于电流控制器件，它通过基极电流的变化来控制集电极电流的变化。三极管主要分为 NPN 型三极管和 PNP...
详解 IGBT 与 SiC MOSFET 两类器件双脉冲测试的设备性能差异
双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲及反向恢复参数等重要指标。这些测试结果对于器件选型、驱动...
分类：电子测量 时间：2026-07-24 阅读：352 关键词： IGBTSiC MOSFET
在电子电路设计领域，我们常常会听到这样一个建议：在 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）的栅极前增加一个电阻，而且这个电阻的阻值通常是 100Ω。那么，为什么要增加这个电阻呢？更进一步地，为什么这...
对于从事无人机硬件的工程师来说，“炸管” 堪称噩梦。试飞前一切看似正常，然而飞机升空不久，电调突然冒烟，紧接着飞机直接失控坠机。拆开电调一看，多颗 MOS 管已经烧黑，电路板上还留着焦痕。 很多工程师遇到...
