了解场效应晶体管的原理和操作。 晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先，作为它们的真空管前身，三极管，它们可以放大电信号。...
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
场效应晶体管 (FET) 由称为衬底的 N 型材料棒制成，其中扩散了 P 型结（栅极）。对于漏极上的正电压，相对于源极，电子电流通过 CHANNEL 从源极流向漏极。 如果栅极相对于源极为负，则会产生静电场，挤压沟道并降...
EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管， 可实现最高功率密度
宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供...
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管
quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN?）功率场效应晶体管和集成电路，zui新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以...
晶体管工作原理 利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看下。下图中的S是指源极（Source），D是指漏极（Drain），G是栅极（Gate）。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二...
沟道类型 挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中，当一个场效应晶体管接地，而负载接入到干线电压上时，该场效应晶体管就组成了低压侧开关。在低压侧开关...
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的...
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的...
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使...
前言： 在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其...
GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管
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GBT 15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe
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GBT 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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GB-T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管
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GBT_15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe
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GBT_15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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SJ_2748-1987_微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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场效应晶体管好坏的判断及使用时注意事项MOS场效应晶体管使用注意事项MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：...
