N沟道MOSFET技术资料-维库电子市场网

描述　　LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的...

分类：模拟技术时间：2011-02-21 阅读：4371 关键词：LTC4446：N沟道MOSFET驱动器LTC4446MOSFET驱动器

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有业内导通电阻的新款N沟道MOSFET器件---SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这

分类：元器件应用时间：2009-07-29 阅读：2397 关键词：Vishay推出业内导通电阻N沟道MOSFET电阻 MOSFET

全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体（ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，将推出NCP4330——后稳压、双N沟道MOSFET驱动器，能提高常用于ATX和高功率开关电源（SMPS）的正激转换器的效率...

分类：其它时间：2007-12-18 阅读：1396 关键词：安森美半导体将推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆

分类：光电显示/LED照明时间：2007-12-14 阅读：1694 关键词：飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间FDB2710FDB2614TO-263

国际整流器公司(InternationalRectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFETMOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF

分类：通信与网络时间：2007-12-13 阅读：1481 关键词：IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFETIRF7853IRF7854IRF7854PBFIRF7853PBFIRF7855PBF

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7.

分类：元器件应用时间：2007-12-07 阅读：1477 关键词：飞兆推出80V N沟道MOSFET器件（图）FDS3572

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7.

分类：元器件应用时间：2007-12-04 阅读：1313 关键词：飞兆推出80V N沟道MOSFET器件FDS3572

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利

分类：电源技术时间：2007-12-03 阅读：1497 关键词：Fairchild推出全新高效N沟道MOSFET系列产品提供高达8kV的ESD电压保护FDS8812NZFDS8813NZFDS8817NZ

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用...

分类：电源技术时间：2007-11-28 阅读：1371 关键词：Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器MSOP-8

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成...

分类：电源技术时间：2007-11-28 阅读：1918 关键词：Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC444MSOP-8

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成...

分类：其它时间：2007-11-28 阅读：1522 关键词：Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1MSOP-8

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构。利用飞兆半导...

分类：电源技术时间：2007-11-26 阅读：1028 关键词：飞兆N沟道MOSFET系列产品可提供90％的ESD性能FDS8812NZFDS8813NZFDS8817NZ

国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7...

分类：元器件应用时间：2007-11-22 阅读：1572 关键词：IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET..TO-220IRF7853IRF7854IRF7854PBFIRF7853PBFIRF7855PBFIR1167

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护，较市场现有器件高出90%。 FDS881XNZ系列支持用于...

分类：电源技术时间：2007-11-19 阅读：1317 关键词：飞兆半导体推出全新的高效N沟道MOSFET系列FDS8812NZFDS8813NZFDS8817NZ

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极...

分类：元器件应用时间：2007-11-16 阅读：1454 关键词：凌力尔特LTC4355用N沟道MOSFET取代肖特基二极管LTC4354LTC4261

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构

分类：元器件应用时间：2007-09-30 阅读：1576 关键词：飞兆发布高效N沟道MOSFET FDS881XNZ系列FDS8812NZFDS8813NZFDS8817NZ

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