深度对比体硅 FinFET 与 SOI FinFET 的结构和工艺差异
在半导体制造领域，晶体管结构的选择至关重要，它直接影响着芯片的性能、能效、成本与可靠性。当制程节点推进到 22nm 以下时，鳍式场效应晶体管（FinFET）凭借其三维立体结构成为行业主流。然而，在 FinFET 阵营内部...
WPG - 大联大推出基于CVITEK和SOI产品的网络摄像机（IPC）方案
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于晶视智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光电（SOI）JX-K06图像传感器的网络摄像机（IPC）方案。 图示1-大联大友尚基于CVITEK和SOI...
Soitec 发布首款 200mm SmartSiC™ 优化衬底，拓展碳化硅产品组合
设计和生产创新性半导体材料的quan球领军企业Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC 晶圆。这标志着 Soitec 公司的碳化硅产品组合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC 晶圆的研发水准再创新高，可满足汽车市...
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
近日，来自Yole D?veloppement及其旗下咨询公司System Plus Consulting的两位分析师共同对谷歌很新推出的5G Pixel 6进行了拆解和研究，发现该款手机中的芯片采用了三星的FD...
分类：家电/消费电子 时间：2022-01-10 阅读：971 关键词：谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波FD-SOI
CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查 表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正...
分类：元器件应用 时间：2021-01-20 阅读：436 关键词：CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局电子设计
CISSOID - 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车
当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2021-01-05 阅读：971 关键词：CISSOID - 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车碳化硅
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2020-03-12 阅读：5089 关键词：CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块CISSOID,碳化硅
Allegro推出定制SOIC16W封装，非常适合功率密集型混合动力/电动汽车和太阳能等应用
运动控制和节能系统电源和传感解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）宣布推出名为“MC”的全新定制SOIC16W封装，这标志着业界电流传感技术在需要高隔离度和低功耗的功率密集型应用中的一个...
ST - 采用28nm FD-SOI技术的汽车级微控制器嵌入式PCM宏单元
汽车微控制器正在挑战嵌入式非易失性存储器（e-NVM）的极限，主要体现在存储单元面积、访问时间和耐热性能三个方面。在许多细分市场（例如：网关、车身控制器和电池管理单元）上，随着应用复杂程度提高，存储单元面...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2019-07-24 阅读：3007 关键词：控制器,嵌入式
引入 真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但是，在第二次世界大战之后，由于需要大量的分立元件，设备的复杂性和功耗显着增 已保存加，而设备的性能却不断下降，...
时间：2018-08-17 阅读：2186 关键词：深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术GaN工艺技术
导读：作为专为极端温度与恶劣环境下电源管理、功率转换与信号调节提供标准化的产品与定制解决方案的供应商，CISSOID公司日前正式宣布进军中国市场，并与上海诺卫卡电子科技有限公司签订了在华经销协议。而诺卫卡公...
分类：其它 时间：2014-06-18 阅读：2466 关键词：CISSOID正式宣布进军中国市场CISSOID 隔离式栅极驱动器 MOSFET
基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
摘要：绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SD...
分类：元器件应用 时间：2014-01-22 阅读：3499 关键词：基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究绝缘体上硅电子设备体硅材料体硅器件
摘 要：由于PD SOI工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区...
分类：其它 时间：2013-08-07 阅读：6511 关键词：基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究PD SOI工艺高压NMOS器件工艺
中科院上海微系统与信息技术研究所日前宣布，由王曦研究员领导的SOI研究小组，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。中国科学院上...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2011-09-05 阅读：1693
ARM,Globalfoundries, IBM, 意法半导体, 法国Soitec以及法国CEA-Leti公司等公司的联盟，为了在下一代晶体管技术竞赛中位居前列，宣布了对FD-SOI技术（全耗尽型SOI技术,有些...
分类：通信与网络 时间：2011-03-04 阅读：2021 关键词：FDSOI在移动领域的应用前景
CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源，CCFL是传统的背光方式，而LED作为LCD背光的后起之秀，正在迅速抢占LCD背光市场。 电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶...
分类：光电显示/LED照明 时间：2011-02-12 阅读：2736 关键词：利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本
CISSOID推出STROMBOLI技术高压隔离DC/DC转换器
CISSOID发布他们了新的STROMBOLI技术,一个用于高温的灵活和可扩展的参考设计和演示板，能从-55℃至+225℃可靠和高效率地运行的高压隔离式DC/DC转换器。STROMBOLI可以转换高达400V输入电压，如果需要的话，能输出多路...
分类：电源技术 时间：2010-06-30 阅读：2130 关键词：CISSOID推出STROMBOLI技术高压隔离DC/DC转换器DC/DC转换器
引言本电流检测演示板（SOIC）设计用于验证美国国家半导体公司采用SOIC封装的电流检测放大器的四个不同的电流检测配置。这些器件为是LMP8601、LMP8602和LMP860260V共模双向高精度电流检测放大器以及LMP8277和LMP8278...
分类：电源技术 时间：2010-01-14 阅读：1695 关键词：电流检测演示板（SOIC）用户指南
CISSOID MAGMA IC能于-55至225℃间可靠运行
CISSOID推出其新研发产品MAGMA IC——能于摄氏负55度至225度可靠运行的脉冲宽度调变器。MAGMA IC主要适用于直流-直流变换器及开关切换模式电源供应器，在整个温度范围中，M...
分类：其它 时间：2009-10-26 阅读：2417 关键词：CISSOID MAGMA IC能于-55至225℃间可靠运行
集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说，硅材料和SOl（硅在绝缘体上）在基片处理成本，封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实现。目前集成光学的...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2197 关键词：集成光电子学SOI光波导
